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本发明公开了一种银金属蒸发真空镀膜的方法，涉及真空镀膜技术领域。通过在蒸发设备自带的坩埚中放置钼坩埚，以钼坩埚作为银金属材料蒸发镀膜的容器，银的熔点远小于钼的熔点，熔源过程不会导致钼坩埚被熔化或变形；增加钼坩埚后热量不容易散发，降低了熔源功率，金属在钼坩埚中完全熔化，金属材料与钼坩埚紧密接触，金属中没有空气与杂质，蒸发过程金属源溅源的频率显著降低。本发明将蒸发真空镀膜的过程分为依次进行的预热阶段、预熔阶段、蒸发源熔化阶段和稳定蒸发阶段，缓慢升温，有利于进一步避免出现金属源溅源。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117888061A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410289062.2
(22)申请日2024.03.14
(71)申请人天水天光半导体有限责任公司
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