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高压BCD技术的工艺开发和器件性能的研究的开题报告

一、研究背景

随着微电子技术的发展，高压器件的需求逐渐增加。高压器件广泛应用于电力系统、能源及环境保护等领域，对器件的可靠性和成本要求也越来越高。BCD技术是一种可以同时实现模拟电路、数字电路和功率器件的多功能集成电路技术，具有高度集成、成本低、性能好等优点。高压BCD技术是将BCD技术应用于高压器件设计中的研究方向，具有广泛的应用前景和研究价值。

二、研究目的和意义

本研究旨在通过对高压BCD技术的工艺开发和器件性能的研究，探索一种高性能的高压器件设计方法，为高压器件的研究和应用提供技术支持。具体研究目标如下：

1.通过对高压BCD技术的分析，研究其工艺流程和器件设计方法，为高压器件设计提供指导。

2.通过制备高压BCD器件样品，测试其电性能参数，并分析器件性能指标的影响因素，为高压BCD器件的性能优化提供理论依据。

3.研究高压BCD器件的可靠性，并提出相应的可靠性评估方法和测试手段。

三、研究内容和方法

1.高压BCD技术的分析。首先对BCD技术进行概述，然后详细分析高压BCD技术的原理和工艺流程，确定器件设计工艺和结构。

2.高压BCD器件的制备。根据研究要求，制备高压BCD器件样品，并进行光刻、薄膜沉积、离子注入、热氧化等工艺步骤，制作出高质量的器件样品。

3.高压BCD器件的性能测试。对样品进行DC和AC测试，包括漏电流、击穿电压、功率损耗等参数的测试，分析其器件性能的优缺点和性能指标的影响因素。

4.高压BCD器件的可靠性评估。评估器件的可靠性指标，测试器件在不同应力条件下的工作寿命和可靠性。

四、研究进度计划

第一年：进行高压BCD技术的分析，确定工艺流程和器件设计，制备平面结构高压器件的样品，进行DC测试并分析结果。

第二年：完成平面结构高压器件的AC测试，分析其性能优缺点和性能指标的影响因素；制备集成型高压器件的样品，进行DC测试并分析结果。

第三年：完成集成型高压器件的AC测试，分析其性能优缺点和性能指标的影响因素；完成高压BCD器件的可靠性评估。

五、预期成果

1.高压BCD技术的分析和器件设计方法，为高压器件的设计提供参考和指导。

2.高质量的高压BCD器件样品和测试结果，为高压器件的研究提供实验基础和理论依据。

3.高压BCD器件的可靠性评估方法和测试手段，为高压器件的设计和应用提供保障。

六、参考文献

[1]徐长江.高压CMOS集成电路技术.北京：清华大学出版社，2007.

[2]WangY,ZhangW,YangY,etal.InvestigationofanewintegratedhighvoltageLDMOSwithparallelPIEforHVBCDprocess.IEEETransactionsonElectronDevices,2015,62(2):553-558.

[3]郑武杰.集成CMOS高压器件.北京：科学出版社，2006.