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一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法.pdf

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    本发明提供一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理，得到氧终端。去除目标区域的保护层，并在氧终端的遮蔽下，在目标区域外延生长氮化铝，制备得到金刚石氮化铝异质结的导电沟道。在目标区域的氮化铝遮蔽下，对目标区域之外的氧终端进行氢等离子体处理，得到氢终端的导电沟道。在氢终端的导电沟道上制备源电极、漏电极，在氮化铝上制备栅电极，得到场效应晶体管。本发明避免了现有方式刻蚀深度难以控制、难以刚好刻蚀至

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117894830A

    (43)申请公布日2024.04.16

    (21)申请号202311717119.6

    (22)申请日2023.12.13

    (71)申请人中国电子科技集团

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