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本发明公开了一种减少氧化镓栾晶数量的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明预先在坩埚内模具的正上方设置原料储存装置，并且在装置内放置与坩埚内部同比例的氧化镓原料和掺杂剂原料。在晶体放肩生长过程中，打开装置阀门，装置内的原料通过原料通道向下飘落到氧化镓晶体肩部，原料在晶体肩部团聚并吸附在肩部上，在肩部吸附的原料增加晶体细颈和肩部的保温，未在肩部吸附的原料降落至坩埚内熔化为熔体。从而增加了细颈与肩部的保温，减小晶体中间与晶体两侧的散热速率差，避免因散热速率不同而产生的热应力，使得晶体中间和晶体两
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117904707A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202410295450.1
(22)申请日2024.03.15
(71)申请人北京铭镓半导体有
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