一种高斯取向晶粒偏离角度的计算方法.pdfVIP

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2024-04-20 发布于四川
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一种高斯取向晶粒偏离角度的计算方法.pdf

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本发明提供了一种高斯取向晶粒偏离角度的计算方法，包括：选取经过脱碳退火后的高磁感取向硅钢作为试样；对试样依次进行剪切、打磨和抛光得到处理后的试样；对处理后的试样进行电解抛光得到电解抛光后的试样；对电解抛光后的试样进行EBSD检测得到试样的微观织构数据；利用Channel5软件对试样的微观织构数据进行分析，并用预设的颜色标定{110}取向晶粒，同时记录标定完成的晶粒所对应的欧拉角度；计算出欧拉角度和高斯取向晶粒标准角度之间的差值得到相应试样的高斯取向晶粒偏离角度。本发明基于EBSD检测技

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117907366A

(43)申请公布日2024.04.19

(21)申请号202311761641.4

(22)申请日2023.12.20

(71)申请人包头钢铁（集团）

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