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具有精确几何形状的三维晶体管的结构及其制造方法.pdfVIP

具有精确几何形状的三维晶体管的结构及其制造方法.pdf

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    本发明公开了一种半导体晶体管。所述半导体晶体管包含一半导体基底、一主动区、一浅沟槽隔离区、一栅极结构、一第一导电结构、一第二导电结构和一间隔层。所述半导体基底具有一原始表面。所述主动区在所述半导体基底的基础上形成，其中所述主动区具有一鳍式结构。所述浅沟槽隔离区围绕所述主动区。所述栅极结构跨越所述鳍式结构。所述间隔层与所述栅极结构的侧壁接触且在所述鳍式结构的之上。所述在所述间隔层下方的鳍式结构的宽度大于在所述栅极结构下方的鳍式结构的宽度。相较于现有技术，所述半导体晶体管具有精确和控制良好的几何形状

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117913138A

    (43)申请公布日2024.04.19

    (21)申请号202311342292.2

    (22)申请日2023.10.17

    (30)优先权数据

    63/416,6162022

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