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具有改进的结终端扩展的半导体功率器件.pdfVIP

具有改进的结终端扩展的半导体功率器件.pdf

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    本公开的各方面涉及半导体功率器件及其制造方法。本公开的各方面具体涉及一种混合式PiN肖特基MPS二极管，更具体地涉及碳化硅SiCMPS二极管。半导体功率器件包括半导体主体以及在半导体功率器件的有源区中的第二电荷类型的一个或多个内部阱；该半导体主体包括导电衬底和在导电衬底上生长的第一电荷类型的外延层；第二电荷类型不同于第一电荷类型。使用至少两个离子注入步骤形成第二电荷类型的一个或多个内部阱中的至少一些。一个步骤专用于形成第二类型的内部阱，而一个或多个另外的离子注入步骤同时用于形成相应的JTE结构

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117912942A

    (43)申请公布日2024.04.19

    (21)申请号202311343138.7(51)Int.Cl.

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