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本发明公开了一种具有改进功能层的LED芯片及其制备方法，包括ITO透明导电层和SiO2/SiN绝缘钝化层，所述ITO透明导电层和SiO2/SiN绝缘钝化层之间设置一层功能层，所述功能层折射率在1.45‑1.95之间。本发明的LED芯片通过增加特定功能层，解决了现有技术中存在的问题。该功能层具有特定的折射率，与金属的粘附性良好，且具有良好的致密性，可以提高临界角，增加出光几率；对金属实现良好的包覆性；抗逆向老化，抑制金属析出迁移。因此，本发明的LED芯片具有更高的发光效率和更长的使用寿命。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117913199A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202311847699.0
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人聚灿光电科技（宿
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