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本发明提供了一种生长高质量大尺寸碳化硅晶体的装置，包括中继环，所述中继环为热解石墨块材，中继环位于生长坩埚和石墨盖中间，生长坩埚上部被生长原料覆盖，石墨盖被碳化硅籽晶覆盖，中继环内表面暴露在生长气氛中。本发明提供的碳化硅生长装置中，中继环使用热解石墨块材，可彻底避免石墨件表面腐蚀颗粒进入晶体中，减少了缺陷的产生，提高了碳化硅晶体质量。另外，热解石墨化学稳定性好，耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀，与熔融金属、炉渣和其他腐蚀性介质均不反应，这些特性增加了热解石墨的耐用性，可重复用来生长碳化硅晶体，有利于降
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117904718A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202311865484.1
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人北京天科合达半导体股份有限公司
地
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