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第四章晶闸管及其应用

第一节晶闸管的构造、作理、特性和数

晶闸管—控硅,是一种受控硅二极管。

优点:体积小、重量轻、耐压高、容量大、响应速度快、控制

灵活、寿命长、使用维护方便。

缺点:大多作与断续的非线性周期作状态,产生大量谐波

干扰电网;过载能力和抗扰能力较差、控制电路复杂。(由于技术进

步,近年有改善)

1.1晶闸管的基本结构:晶闸

管是具有三个PN结的四层结构,

其外形、结构及符号如图。

1.2晶闸管的作理

在极短时间内使两个三极管均饱和导通,此过程称触发导通。

晶闸管导通后,去掉EG,依靠正反馈,仍维持导通状态。

晶闸管导通必须同时具备两个条件:

1.晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。

2.晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正

向脉冲(正向触发电压)。

晶闸管导通后,控制极便失去作用。依靠正反馈,晶闸管

仍维持导通状态。

晶闸管关断的条件:

1.必须使控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。

2.将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反向电压。

1.3晶闸管的伏安特性

静态特性

承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导

通;

承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开

通;

晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用;

要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数

值以下。

晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管阳极电流和阳极电压之间的

关系曲线,如图3所示。其中:第I象限的是正向特性;第III象限

的是反向特性

I

A

正向

导通

III=0

IG2G1G

UUH

RSMRRM

-

OUU+U

UDRMboA

AU

DSM

雪崩

击穿

-I

A

图3晶闸管阳极伏安特性III

G2G1G

I=0时,器件两端施加正向电压,正向阻断状态,只有很小的

G

正向漏电流流过,正向电压超过临界极限即正向转折电压U,则漏

bo

电流急剧增大,器件开通。这种开通叫“硬开通”,一般不允许硬开

通;

随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低;

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