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第四章晶闸管及其应用
第一节晶闸管的构造、作理、特性和数
晶闸管—控硅,是一种受控硅二极管。
优点:体积小、重量轻、耐压高、容量大、响应速度快、控制
灵活、寿命长、使用维护方便。
缺点:大多作与断续的非线性周期作状态,产生大量谐波
干扰电网;过载能力和抗扰能力较差、控制电路复杂。(由于技术进
步,近年有改善)
1.1晶闸管的基本结构:晶闸
管是具有三个PN结的四层结构,
其外形、结构及符号如图。
1.2晶闸管的作理
在极短时间内使两个三极管均饱和导通,此过程称触发导通。
晶闸管导通后,去掉EG,依靠正反馈,仍维持导通状态。
晶闸管导通必须同时具备两个条件:
1.晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。
2.晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正
向脉冲(正向触发电压)。
晶闸管导通后,控制极便失去作用。依靠正反馈,晶闸管
仍维持导通状态。
晶闸管关断的条件:
1.必须使控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。
2.将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反向电压。
1.3晶闸管的伏安特性
静态特性
承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导
通;
承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开
通;
晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用;
要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数
值以下。
晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管阳极电流和阳极电压之间的
关系曲线,如图3所示。其中:第I象限的是正向特性;第III象限
的是反向特性
I
A
正向
导通
III=0
IG2G1G
UUH
RSMRRM
-
OUU+U
UDRMboA
AU
DSM
雪崩
击穿
-I
A
图3晶闸管阳极伏安特性III
G2G1G
I=0时,器件两端施加正向电压,正向阻断状态,只有很小的
G
正向漏电流流过,正向电压超过临界极限即正向转折电压U,则漏
bo
电流急剧增大,器件开通。这种开通叫“硬开通”,一般不允许硬开
通;
随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低;
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