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本发明公开了一种表面发射半导体激光器及其制备方法，表面发射半导体激光器包括衬底和半导体外延层，半导体外延层的上表面或者衬底的下表面设置有出光窗口；半导体外延层具有至少一个倾斜侧面，所述倾斜侧面的表面设置钝化层以形成面向激光传播方向的光路转折镜面，所述光路转折镜面用于将半导体外延层内部平行于衬底表面传播的激光反射至所述出光窗口。本发明实现了半导体激光器的输出从边发射转变为表面发射，制备过程中不需要解离晶圆即可进行谐振腔端面的高反射和抗反射镀膜，以及输出激光并进行光特性的测试，能极大提升半导体激光器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117913653A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202410016490.8
(22)申请日2024.01.03
(71)申请人华毅瀛飞（浙江）科技有限公司
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