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一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括：提供复合层结构，复合层结构包括层叠的基板、第一金属层、金属绝缘层、半导体层和第二金属层，复合层结构包括暴露区和遮挡区；第二金属层的表面在遮挡区还覆盖有光阻层；使用第一蚀刻液刻蚀暴露区，以使暴露区的第二金属层和半导体层被去除；去除部分光阻层以使部分遮挡区外露；使用第二蚀刻液蚀刻遮挡区，以使遮挡区的第二金属层和部分半导体层被去除；其中，第一蚀刻液和第二蚀刻液均为含氟蚀刻液。本申请用于解决薄膜晶体管制作工艺步骤多，工艺时间长且成本高的问题
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117912950A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202410082443.3H01L21/306(2006.01)
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