原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种提高热电半导体器件高温环境使用寿命的方法，旨在解决热电半导体器件耐高温性能不佳的不足。该发明包括以下步骤：S1，将晶棒切片形成晶片；S2，在晶片上下表面上加工阻挡层；S3，在阻挡层上加工焊接层；S4，将晶片切割成一定尺寸的热电元件；S5，在热电元件非金属化的侧面上加工膜层，使热电元件侧面被膜层包裹；焊接时，将S5制得的热电元件上下两端面分别与两基板进行焊接，制得热电半导体器件。本专利的技术方案能阻挡过量的Sn与热电半导体元件表面直接接触，抑制Cu、Sn元素的扩散，从而增强热电半导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117915744A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202311709882.4
(22)申请日2023.12.13
(71)申请人杭州大和热磁电子有限公司
地址
文档评论（0）