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亥姆霍兹线圈实验报告
【实验原理】
载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场
载流圆线圈磁场
一半径为R,通以电流I的圆线圈,轴线上磁场的公式为
式中N
0
为圆线圈的匝数,X
(1-1)
为轴上某一点到圆心O的距离。
它的磁场分布图如图 1-1所示。
亥姆霍兹线圈所谓亥姆霍兹线圈为
两个相同线圈彼此平行且共轴,使线圈上通以同方向电流I,理论计算证明:线圈间距a等于线圈半径
R时,两线圈合磁场在轴上(两线圈圆心连线)附近较大范围内是均匀的,如图1-2所示。
霍尔效应法测磁场
霍尔效应法测量原理将通有电流I的导体置于磁
场中,则在垂直于电流I和磁场B方向上将产生一个附加电位差,这一现象是霍尔于1879年首先发
现,故称霍尔效应。电位差U称
H
为霍尔电压。
如图3-1所示N型半导体,若
在MN两端加上电压U,则有电流I沿X轴方向流动(有速度为V运动的电子),
此时在Z轴方向加以强度为B的磁场后,运动着的电子受洛伦兹力F
B
的作用
而偏移、聚集在S平面;同时随着电子的向S平面(下平面)偏移和聚集,在P平面(上平面)出现等量的正电荷,结果在上下平面之间形成一个电场
E(此电场称之为霍尔电场)。这个电场反过来阻止电子继续向下偏移。当
H
电子受到的洛伦兹力和霍尔电场的反作用力这二种达到平衡时,就不能向下
偏移。此时在上下平面(S、P平面)间形成一个稳定的电压U(霍尔电压)。
H
霍尔系数、霍尔灵敏度、霍尔电压
设材料的长度为l,宽为b,厚为d,载流子浓度为n,载流子速度v,则与通过材料的电流I有如下关系:
I=nevbd
霍尔电压 U
=IB/ned=RIB/d=KIB
H H H
式中霍尔系数R=1/ne,单位为m3/c;霍尔灵敏度K=R/d,单位为mV/mA
H H H
由此可见,使I为常数时,有U=KIB=kB,通过测量霍尔电压U,就
可计算出未知磁场强度B。
H H 0 H
本实验使用的仪器用集成霍尔元件,已经与显示模块联调,直接显示磁场强度。
【实验仪器】
亥姆霍兹实验仪由二部分组成。它们分别为励磁线圈架部分(见图〈一〉)和磁场量仪器部分(见图〈二〉)。
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图〈二〉4501A型亥姆霍兹线圈磁场实验仪面板亥姆霍兹线圈架:
二个励磁线圈:
线圈有效半径 105mm线圈匝数 500匝
二线圈中心间距105mm
测量磁场传感器:4501A使用霍尔元件测量磁场。
移动装置:横向可移动距离150mm,纵向可移动距离50mm距离分辨力0.5mm
【实验内容】
1.测量圆电流线圈轴线上磁场的分布
接好电路。开机预热5分钟,调零。调节磁场实验仪的输出功率,使励磁电流有效值为I=200mA,以圆电流线圈中心为坐标原点,每隔10.0mm测一个Bm值,测量过程中注意保持励磁电流值不变,记录数据并作出磁场分布曲线图。
2.测量亥姆霍兹线圈轴线上磁场的分布
关闭电源,把磁场实验仪的两组线圈串联起来(注意极性不要接反),接到磁场测试仪的输出端钮。调节磁场测试仪的输出功率,使励磁电流有效值仍为I=200mA。以两个圆线圈轴线上的中心点为坐标原点,每隔10.0mm测一个Bm值。记录数据并作出磁场分布曲线图。
【数据处理】
亥姆霍兹
亥姆霍兹
0.9
Tm
0.85
0.8
0.829
0.804
0.8403.850.8505.8505.8505.8409.842
0.768
0.829
0.805
0.773
0.75
0.723
0.729
0.7
0.67
0.678
0.65
0.619
0.6
0.609
0.55
0.548
0.557
0.5
100908070605040302010 0 102030405060708090100
亥姆霍兹548609670723768804829843850855855855849842829805773729678619557
亥姆霍兹
T
Tm
0.6
圆线圈
0.588
0.58
0.583
0.573
0.567
0.58
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