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亥姆霍兹线圈实验报告

【实验原理】

载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场

载流圆线圈磁场

一半径为Ｒ，通以电流Ｉ的圆线圈，轴线上磁场的公式为

式中N

0

为圆线圈的匝数，X

（1-1）

为轴上某一点到圆心O的距离。

它的磁场分布图如图 1-1所示。

亥姆霍兹线圈所谓亥姆霍兹线圈为

两个相同线圈彼此平行且共轴，使线圈上通以同方向电流Ｉ，理论计算证明：线圈间距a等于线圈半径

R时，两线圈合磁场在轴上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，如图1-2所示。

霍尔效应法测磁场

霍尔效应法测量原理将通有电流I的导体置于磁

场中，则在垂直于电流I和磁场B方向上将产生一个附加电位差，这一现象是霍尔于1879年首先发

现，故称霍尔效应。电位差U称

H

为霍尔电压。

如图3-1所示N型半导体，若

在MN两端加上电压U，则有电流I沿X轴方向流动（有速度为V运动的电子），

此时在Z轴方向加以强度为B的磁场后，运动着的电子受洛伦兹力F

B

的作用

而偏移、聚集在S平面；同时随着电子的向S平面（下平面）偏移和聚集，在P平面（上平面）出现等量的正电荷，结果在上下平面之间形成一个电场

E（此电场称之为霍尔电场）。这个电场反过来阻止电子继续向下偏移。当

H

电子受到的洛伦兹力和霍尔电场的反作用力这二种达到平衡时，就不能向下

偏移。此时在上下平面（S、P平面）间形成一个稳定的电压U（霍尔电压）。

H

霍尔系数、霍尔灵敏度、霍尔电压

设材料的长度为l，宽为b，厚为d，载流子浓度为n，载流子速度v，则与通过材料的电流I有如下关系：

I=nevbd

霍尔电压 U

=IB/ned=RIB/d=KIB

H H H

式中霍尔系数R=1/ne，单位为m3/c；霍尔灵敏度K=R/d，单位为mV/mA

H H H

由此可见，使I为常数时，有U=KIB=kB，通过测量霍尔电压U，就

可计算出未知磁场强度B。

H H 0 H

本实验使用的仪器用集成霍尔元件，已经与显示模块联调，直接显示磁场强度。

【实验仪器】

亥姆霍兹实验仪由二部分组成。它们分别为励磁线圈架部分（见图〈一〉）和磁场量仪器部分（见图〈二〉）。

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图〈二〉4501A型亥姆霍兹线圈磁场实验仪面板亥姆霍兹线圈架：

二个励磁线圈：

线圈有效半径 105mm线圈匝数 500匝

二线圈中心间距105mm

测量磁场传感器：4501A使用霍尔元件测量磁场。

移动装置：横向可移动距离150mm，纵向可移动距离50mm距离分辨力0.5mm

【实验内容】

1.测量圆电流线圈轴线上磁场的分布

接好电路。开机预热5分钟，调零。调节磁场实验仪的输出功率，使励磁电流有效值为Ｉ＝200mＡ,以圆电流线圈中心为坐标原点，每隔10.0mm测一个Bm值，测量过程中注意保持励磁电流值不变，记录数据并作出磁场分布曲线图。

2.测量亥姆霍兹线圈轴线上磁场的分布

关闭电源，把磁场实验仪的两组线圈串联起来（注意极性不要接反），接到磁场测试仪的输出端钮。调节磁场测试仪的输出功率，使励磁电流有效值仍为Ｉ＝200mＡ。以两个圆线圈轴线上的中心点为坐标原点，每隔10.0mm测一个Bm值。记录数据并作出磁场分布曲线图。

【数据处理】

亥姆霍兹

亥姆霍兹

0.9

Tm

0.85

0.8

0.829

0.804

0.8403.850.8505.8505.8505.8409.842

0.768

0.829

0.805

0.773

0.75

0.723

0.729

0.7

0.67

0.678

0.65

0.619

0.6

0.609

0.55

0.548

0.557

0.5

100908070605040302010 0 102030405060708090100

亥姆霍兹548609670723768804829843850855855855849842829805773729678619557

亥姆霍兹

T

Tm

0.6

圆线圈

0.588

0.58

0.583

0.573

0.567

0.58