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【摘要】
在电子信息技术飞速发展的今天，国内研究的重点领域之一就是善压敏电阻的通流能力，解决这一问题的方式就是掺杂改性、热处理以及控制晶体晶粒生长改进氧化锌压敏电阻器的电学性能，而掺杂改性主要通过调整界面态密度以达到改善ZnO压敏陶瓷的压敏性能的目的。
本文采用固相合成法，预通过合成Zn2MnO4掺杂改性，来研究四种不同Zn2MnO4晶界相含量变化对晶界相含量变化对：98.8mol%ZnO+0.5mol%Bi2O3+0.5mol%MnO2+0.2mol%SiO2压敏陶瓷压敏电压、漏电流、非线性系数等的影响，并且利用X射线衍射仪对四种样品进行物相分析，利用压
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