SJ 21276-2018 微波组件键合工艺技术要求.pdf

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中华人民共和国电子行业标准

FL6132SJ21276-2018

微波组件键合工艺技术要求

Processtechnicalrequirementsforwirebondingofmicrowaveassembly

2018-01-18发布2018-05-01实施

国家国防科技工业局发布

SJ21276-2018

目lj吕

本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本规范起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所。

本规范主要起草人：刘波、陈以钢、崔烘波、寇亚男、么冰、黄琳林。

SJ21276-2018

微波组件键合工艺技术要求

1范围

本标准规定了微波组件巾引线键合工艺技术的要求。

本标准适用于微波组件，引线键合工艺。

2规范性引用文件

3.2.4接地

工作区应具有良好的接地系统，并符合SJffI0694-2006的要求。

3.2.5照明

工作场所照明良好，具备局部照明光照应不低于l000Ix。

3.2.6振动

键合工作区域应避免布在振动源。

3.3安全

3.3.1操作人员应按要求穿灿防静电工作服、工作鞋、防静电腕情和防静电插套，正确使用防护用只。

SJ21276-2018

3.3.2所有设备必须编制相应P:.全操作规程，操作人员需按规程操作，防止操作人员被触电、烫伤、

划伤等安全隐患，出现事故后应按安全操作规程要求采取相应的应急处理措施。

3.4材料

3.4.1主要材料

3.4.1.1金丝〈带〉

金丝（带〉要求如下：

a)金丝（带〉纯度注99.99%，金丝表面洁净，无超过直径5%的刻痕、四痕、：M痕、裂纹、凸起

和其他缺陷，应具有合格证明，并在规定的有效期内使用，材料的复验应按照有关规定进行；

b)金丝（带〉力学性能满足GB厅8750-2007中相应要求。

3.4.1.2铝丝

铝丝要求如下：

a)需采用铝，1%硅的合金丝；

b)应储存于氮气环境中；

c)力学性能满足YS厅543-2006中相应要求。

3.4.2芯片

芯片及需键合的元件上键合焊盘镀层良好，无起泡、脱落等现象。

3.4.3基板与壳体

3.4.3.1金丝（带〉键合的键舍区域镀层要求

金丝（带〉键合的键合区域镀层要求如下：

a)优先采用镀镰·金结构，媒层厚度大于1.5阿n，金层厚度大于1.5阳D;

b)镀层与底层金属结合力良好：

c)镀层无起泡、脱落现象：

d)对于频率较高的微波组件，基板的键合焊盘可采用镀金结构。

3.4.3.2铝丝键合的键合区域镀层要求

铝丝键合的键合区域镀层要求如下：

a)国为镀镇，金结构，镀媒层厚度为3µm～5阳，镀金层厚度为0.05µm～0.5阳：

b)镀层与底层金属结合力良好：

c)镀层无起泡、脱落现象。

3.5设备

3.5.1键合机

3.5.1.1超声输出功率稳定，且超声功率大小可调，控制精度可达土lmW。

3.5.1.2超声时间可调，控制精度可达士Ims。

3.5.1.3加热台的温度控制精度优于土5℃，工作温度范围为50℃～200℃。

3.5.1.4键合压力可调，压力控制精度可达