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ICS29.045
CCSH82
CASME
中国中小商业企业协会团体标准
T/CASMEXXXX—2023
半导体用硅环技术要求
Technicalrequirementsforsiliconringsforsemiconductors
（征求意见稿）
在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
中国中小商业企业协会 发布
T/CASMEXXXX—2023
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布单位不承担专利识别的责任。
本文件由××××提出。
本文件由××××归口。
本文件起草单位：××××
本文件主要起草人：××××
I
T/CASMEXXXX—2023
半导体用硅环技术要求
1范围
本文件规定了半导体用硅环的术语和定义、生产加工、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、
贮存和运输方面的内容。
本文件适用于8～12英寸干法蚀刻28纳米以下(含28纳米）制程工艺。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法
GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1平面度flatness
按GDT标识与定义，指的硅环厚度的实际平面与理论平面的误差，单位为mm。
3.2粗糙度Roughness
按ISO4287测量标准，指的是硅环表面微观状态下的纹理(又称为轮廓）波动水平的算数平均值，
采用Ra指标来评价,单位为um。
3.3表面等级surfacegrade
表面等级可分为以下三个等级：
a)AA区，硅环既曝露于等离子体环境下,具有真空密封功能，又直接与晶圆接触的区域；
b)A区，硅环只曝露于等离子体环境下，具有静电吸附功能，但不接触晶圆的区域；
c)B区，硅环既不曝露于等离子体环境，也不具有特殊功能，不接触晶圆的区域。
3.4划伤scratch
因防护，加工不当等造成的产品表面刮痕。
3.5Lap划伤Lapscratch
Lapping工序形成的特有划痕。
3.6晶间裂纹crack
俗称花纹，它是多晶硅蚀刻后独有的外观缺陷，对材料或产品的危害性很高。
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