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我们知道，由杂质和满带激发电子，而使导带产生电子或使满带产生空穴，这些电子和空穴致使半导体导电，常统称为载流子，根据费米统计的一般理论，成功地阐明了载流子激发的定量规律。半导体中电子的费米统计分布
在金属中，电子处于简并化的状态，费米能级EF在导带中间，在EF以下能级几乎完全为电子填满。在一般半导体中（杂质不是太多的情况），EF位于带隙内，而且距离导带底E－，或满带顶E＋的距离往往比kBT大很多：导带电子在导带各能级的分布几率：一、半导体载流子的近似玻耳兹曼统计
由于则分母中指数项远大于1，因此近似地有这表明导带中电子很接近经典的玻耳兹曼分布。说明,和金属的简并化情况很不相同，在导带中的能级，平均而言，电子占据几率是很小的。一、半导体载流子的近似玻耳兹曼统计
满带中空穴的情况也很类似，满带能级为空穴占据的几率，也就是不为电子所占据的几率，可以写成由于所以因为空穴所占状态的E愈低，表示能量愈高，所以上式正说明空穴几率随能量增加按玻耳兹曼统计的指数规律减少.一、半导体载流子的近似玻耳兹曼统计
图中分布函数图线和能带的位置对比，说明了半导体中电子和空穴基本上按玻耳兹曼统计分布，和金属简并化情况完全不同.导带能级和满带能级都远远离开EF，所以导带接近于空的，满带接近满的（空穴很少）.一、半导体载流子的近似玻耳兹曼统计
导带底附近的能态密度和满带顶附近的能态密度二、EF和载流子浓度
电子浓度空穴浓度一个半导体中导带电子越多，空穴就必然越少；或者，空穴越多，则电子就越少．例如，一个N型半导体，施主越多，电子越多，那末空穴就越少。二、EF和载流子浓度
设想N型半导体主要含一种施主，能级位置为ED，施主浓度为ND.在足够低的温度下，载流子将主要是由施主激发到导带的电子。在这种情况下，导带中电子数目显然和空的施主能级数目相等。经过运算可以得到导带中电子数目三、杂质激发
在T很低，比小很多时，括号内指数项远大于1，这个极限相当于只有很少部分施主电离的情况，因为在室温，=0.026eV，在许多电离能在0.01eV以上的材料中，即使是在室温甚至更高的温度，热激发到导带电子数基本上符合上式，即主要按指数关系随温度升高.（注意，与T3/2成正比，并不是常数）。三、杂质激发
在受主浓度为的P型半导体中，根据相似的分析可以得到类似的结果表示受主的电离能。在足够低的温度下三、杂质激发
在足够高的温度，由满带到导带的电子激发（称为本征激发）将成为主要的。本征激发的特点是在每产生一个电子的同时将产生一个空穴。因此，在本征激发为主的情况下，代人前面得到的一般关系式得到其中表示带隙宽度。由于比杂质电离能往往大很多，因此，本征激发随温度上升更为陡峻。在这个范围，测量和分析载流子随温度的变化，可确定带隙宽度。四、本征激发
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