(3.19)--半导体的基本能带结构.pptVIP

半导体的能带中存在一系列满带，最上面的满带称为价带；同时存在一系列空带，最下面的空带称为导带；价带与导带之间有带隙，带隙宽度用表示，它代表价带顶和导带底的能量间隙。在一般温度下，导带底有少量电子，价带顶有少量空穴，半导体的导电就是依靠导带底的少量电子或价带顶的少量空穴。半导体的基本能带结构

本征光吸收：光照可以激发价带的电子到导带，形成电子一空穴对。本征光吸收光子能量应满足或，其中为光波的波长，该式表明，存在有长波限，称为本征吸收边。一、半导体的带隙

第一种类型对应于导带底和价带顶在k空间相同点（1）能量守恒（2）准动量守恒本征吸收光子的波矢为104cm-1布里渊区的尺度为（2π/晶格常数），数量级是108cm-1光吸收的跃迁选择定则可以近似写成

第一种类型对应于导带底和价带顶在k空间相同点在跃迁过程中，波矢可以看做是不变的，在能带的E(k)图上，初态和末态几乎在同一条竖直线上，因此，这样的跃迁称为竖直跃迁。

第二种类型对应于导带底和价带顶在k空间不同点----非竖直跃迁（1）能量守恒电子能量差=光子能量±声子能量声子能量是较小的，数量级为百分之几电子伏以下近似的有电子能量差=光子能量（2）准动量守恒其中为声子的准动量，它与能带中电子的准动量相仿。略去光子动量，有

通常我们把导带底和价带顶处于k空间同一点的半导体，称为直接带隙半导体，而把导带底和价带顶处于k空间不同点的半导体，称为间接带隙半导体。

导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子，是上述光吸收的逆过程，称为电子-空穴对复合发光。一般情况下电子集中在导带底，空穴集中在价带顶，发射光子的能量基本上等于带隙宽度，由于与光吸收情况相同的原因，在直接带隙半导体中这种发光的几率远大于间接带隙半导体，因此制作利用电子-空穴复合的发光器件时，一般要用直接带隙半导体。发光的颜色取决于半导体的带隙宽度。

根据有效质量的定义，在极值点附近，E(k)函数可以做泰勒展开，写成二、带边有效质量已适当选择了主轴方向，该式表明有效质量是由极值附近能量函数E(k)的二次项决定的，因此理论上估计有效质量就归结为求E(k)在极值附近展开式的二次项，这可以通过微扰方法求得。

对于极值点k=0的情况，导带底附近的有效质量是各向同性的。导带底附近的电子有效质量

对于极值点k≠0的情况，这时导带底附近的有效质量往往是各向异性的，沿对称轴方向的有效质量称为纵向有效质量ml，垂直对称轴方向的称为横向有效质量mt。导带底附近的电子有效质量

当极值点能带是简并的情况，微扰计算应当采用简并微扰计算，基本精神是相同的。价带顶附近的空穴有效质量

锗，硅以及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的价带顶都是简并带。在不计入自旋-轨道相互作用时，价带顶是三重简并的（附加上自旋是六重简并）价带顶附近的空穴有效质量

计入自旋-轨道相互作用、分成三个带，上面的两个带在Γ点简并，分别对应重空穴带、轻空穴带。下面一个带是由自旋-轨道耦合分裂出来的。价带顶附近的空穴有效质量

价带顶附近的空穴有效质量轻、重空穴带带顶附近的E(k)函数为其中十号和一号分别对应于轻空穴和重空穴

价带顶附近的空穴有效质量

价带顶附近的空穴有效质量