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三极管的共射特性曲线

三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线，它们是三极管内部载流子运动规律

在管子外部的表现。三极管的特性曲线反映了管子的技术性能，是分析放大电路技术指标的重要依据。三

极管特性曲线可在晶体管图示仪上直观地显示出来，也可从手册上查到某一型号三极管的典型曲线。

三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线，下面以NPN型三极管为例，来讨论

三极管共射电路的特性曲线。

1、输入特性曲线

输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数

关系，即

（5-3）三极管的输入特性曲线如图5-6所示。由图5-6可见NPN型三

极管共射极输入持性曲线的特点是：BE虽己大于零，但i几乎仍为零，只有当u的值大于开启电压后，

BBE

i的值与二极管一样随u的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V，发射结导通电压V

BBEon

约为0.6～0.7V；锗晶体管的开启电压约为0.2V，发射结导通电压约为0.2～0.3V。

CE=0V，U=0.5V和U=1V的情况。当U=0V时，相当于集电极

CECECE

和发射极短路，即集电结和发射结并联，输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。当U=1V，集电

CE

结已处在反向偏置，管子工作在放大区，集电极收集基区扩散过来的电子，使在相同u值的情况下，流

BE

向基极的电流i减小，输入特性随着U的增大而右移。当U1V以后，输入特性几乎与U=1V时的

BCECECE

特性曲线重合，这是因为Vcc＞lV后，集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走，对基区电子与

空穴的复合影响不大，i的改变也不明显。CE必须大于l伏，所以，只要给出U=1V时的输入特性就可

BCE

以了。

2、输出特性曲线

输出特性曲线是描述三极管在输入电流i保持不变的前提下，集电极电流i和管压降u之间的函数关系，

BCCE

即

（5-4）三极管的输出特性曲线如图5-7所示。由图5-7可见，当I改变

B

时，i和u的系是一组平行的曲线族，并有截止、放大、饱和三个工作区。

CCE

（1）截止区I=0持性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体

B

管的集电结处于反偏，发射结电压u＜0，也是处于反偏的状态。由于i＝0，在反向饱和电流可忽略的前

BEB

提下，i=βi也等于0，晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管，发射极和集电结都是反偏，

CB

在电路中犹如一个断开的开关。实际的情况是：处在截止状态下的三极管集电极有