SJ∕T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量.pdf

ICS29.045

H82

备案号：52020-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11552-2015

以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光

谱法测量硅中间隙氧含量

Testmethodsformeasurementofinterstitialoxygencontentofsiliconwafersby

in仕aredabsorptionwithP-polarizedradiationincidentattheBrewsterangle

2015-10-10发布2016-04-01实施

华人民共和国工业和信息化部发布

SJ/T11552-2015

目IJ~

SJ/T11552-2015

以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

1范围

本标准规

的方法。

薄硅片样品中氧含

2.4

参比光谱

参比样品的光谱。用双

，让参比光路空着，

由参比样品光谱计算扣除背景光谙柬光谱仪测试时，直接用参比样品光谱计

算扣除背景光谱获得参比样品光谱。

2.5

样品光谱samplespectrum

测试样品的光谱。用双光束光谱仪测试时，可以把测试样品放在样品光路测量，让参比光路空着，

由测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱；用单光束光谱仪测试时，直接用测试样品光谱计

算扣除背景光谱获得测试样品光谱。

2.6

表面粗糙度surfaceroughness

SJ/T11552-2015

样品加工表面具有的较小问距和微小峰谷不平度。

3方法原理

利用傅立叶变换红外光谱仪测定单晶硅片中间隙氧含量，利用间隙氧浓度正比于门07cm飞9.03µm)

处红外吸收峰的吸收系数，通过乘以一个校正因子计算得出硅片的间隙氧含量。本测试方法采用P偏振

光以布鲁斯特角入射，以尽量减少多次反射。

4干扰因素

4.1对于一般品片，透过率T由公式（I）给出：

(I-R)2－田2-2田4-4田

T＝、气…＝(1-R)2e-ax[l+Re+Re+]…(I)

1-R‘e-..山

式中：

R一一反射率，以

α一一吸收系数，cm·:

x－光程长（x=d:×cosBr),cm;

d一一试样厚度，cm;

Or一一折射角。

要忽略多次反射，Jfe·ax应小于0.001。当入射角为布鲁斯特角〈正常硅片为73.7°）时，就能消除多

次反射的影响。但是，由于傅立叶变换红外光谱仪聚光束的大锥角，入射光往往不能全部以布鲁斯特角

精确地入射。本标准通过调整样品的入射角，找到其最佳入射角度来消除薄双面抛光片存在的多次反

射，具体方法见8.2o

4.2透射光的光程长不能直接确定，但可以从非平行入射光束与中心光束夹角估算出／！＇－.0

4.3假设基线主要是由于表面散射引起的，可通过抛物线曲线粗略估计。

4.4由于硅的晶格振动