三极管测试题.docx

半导体三极管测试题

一、 填空题

三极管从结构上看可以分成＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两种类型。

晶体三极管工作时有＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿两种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿＿＿＿＿晶体管。

设晶体管的压降

UCE 不变，基极电流为20μA时，集电极电流等

于2mA，则

? = 。若基极电流增大至25μA，集电极电流相应地

增大至2.6mA，则? = 。

三极管的电流放大作用是指三极管的＿＿＿＿＿电流约是＿＿＿

＿＿电流的倍，即利用＿＿＿＿＿电流，就可实现对＿＿＿＿＿电流的控制。

某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，穿透电流

Iceo=0则其集电极电流等于

，电流放大系数β等于 。

当三极管工作在＿＿＿＿区时，关系式I

C

≈βI

B

才成立，发射极

＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。

当三极管工作在＿＿＿＿区时，I≈0；发射极＿＿＿ ＿偏置，

C

集电极＿＿＿偏置。

当三极管工作在＿＿＿＿区时，U

CE

≈0。发射极＿＿＿＿偏置，

集电极＿＿＿＿偏置。

当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。

当PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极

的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，U

BE

等于＿＿＿＿。

晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为V

1

试判断三极管的类型是＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。

??4V,V

2

??1.2V,V

3

??1.5V

晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为V

1

??4V,V

2

??1.2V,V

3

??1.5V

三个电极分别1为＿＿＿＿＿＿，2为＿＿＿＿＿＿，3为＿＿＿

＿＿＿。

温度升高时，三极管的电流放大倍数β将＿＿＿＿；穿透电流

I 将＿＿＿＿；发射极电压U将＿＿＿＿。

CEO BE

温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将 移，输出特性曲线将 移，而且输出特性曲线之间隔将变 。

当静态工作点设置偏低时，会引起＿＿＿＿失真，单级共射放大电路输出电流波形的＿＿＿半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿＿＿。

当静态工作点设置偏高时，会引起＿＿＿＿失真，单级共射放大电路输出电压波形的＿＿＿半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿＿＿。

造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响最大的是

＿＿＿＿＿＿ 。

三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是 电路，与相位相同是

电路。

三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放大的是＿＿＿

＿＿＿电路，有电流放大无电压放大的是＿＿＿＿＿＿电路，既有电压放大又有电流放大的是＿＿＿＿＿电路。

多级放大电路常见的耦合方式有直接耦合、＿阻容耦合＿、＿变压器耦合＿＿。

二、选择题

当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于( )。A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿

当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于( )。A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和

-6V，则该三极管的类型为（ ）。

硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和

2V，则该三极管的类型为（ ）。

硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为 6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为（ ）。

A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和

-6V，则该三极管的类型为（ ）。

硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型

7、检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（ ）。

I

BQ

U

BEQ

I

CQ

D.U

CEQ

8.放大器中晶体管在静态时进入饱和区的条件（ ）。

A.II

II

U

死区电压 D.U

=导通压降

B BS

B BS

BEQ

BEQ

9、工作在放大状态的双极型晶体管是（ ）。

A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件

10、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V

=1V，V

1

=1.3V，

2

V=-5V，则三个电极为（ ）。

3

A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b

C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为