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GaN缺陷表面及其对TiO2吸附影响的理论研究的开题报告

题目：GaN缺陷表面及其对TiO2吸附影响的理论研究

研究背景：

氮化镓（GaN）材料由于其良好的物理、化学和光电性能而在光电子学、显示器件和晶体管等领域得到广泛的应用。然而，一些缺陷和杂质的存在会严重影响其性能，因此研究GaN表面缺陷及其对吸附材料的影响具有重要意义。此外，GaN/TiO2异质结构的制备和应用也受到越来越多的关注。因此，本研究旨在探索GaN缺陷表面及其对TiO2吸附的影响，为制备高性能的GaN/TiO2异质结构提供理论基础。

研究内容：

本研究将采用密度泛函理论（DFT）计算方法，研究GaN表面最稳定的缺陷类型、缺陷密度及其对TiO2吸附的影响。具体包括以下研究内容：

1.确定GaN表面的最稳定晶面和晶胞结构；

2.系统研究GaN表面不同缺陷类型（如Ga、N缺陷、Ga-N空位复合物、氧杂质等）的几何结构、能带结构、电子结构和表面能，并对不同缺陷密度下的GaN表面进行模拟；

3.计算不同缺陷密度的GaN表面对TiO2的吸附能及吸附构型，并探究不同表面能对吸附过程的影响；

4.分析不同缺陷类型及其密度对GaN/TiO2异质结构的影响。

研究意义：

本研究的结果可以为制备高性能的GaN/TiO2异质结构提供理论基础，也可以为GaN表面缺陷的控制提供参考，并拓展DFT方法在半导体表面及异质结构研究中的应用。

研究方法：

本研究将采用VASP软件包进行计算，使用能量优化和分子动力学模拟等方法对系统进行研究，并通过分析能带结构和表面能等性质研究缺陷表面的电性质和表面吸附特性。

拟解决的关键问题：

1.GaN表面的最稳定晶面和晶胞结构；

2.缺陷表面的能带结构、电子结构和表面能；

3.不同缺陷密度下的GaN/TiO2异质结构的稳定性和光电性质。

预期结果及其意义：

本研究预计可以得到以下结果：

1.确定GaN表面的最稳定晶面和晶胞结构；

2.研究GaN表面不同缺陷类型及其密度对TiO2吸附的影响；

3.探究不同缺陷类型及其密度对GaN/TiO2异质结构的光电性质的影响；

4.拓展DFT方法在半导体表面及异质结构研究中的应用。