光生伏特器件的偏置电路.pptxVIP

3.3光生伏特器件的偏置电路

前面讨论光电池输出功率的电路实属自偏置电路。

3.3.1反向偏置电路

图3-40所示为光生伏特器件的反向偏置电路。其中图（a）为原理电路图，图（b）为电路图。

反向偏置使PN结势垒区加宽，有利于光子的漂移运动，使线性范围和光电变换的动态范围增宽。

1.反向偏置电路的输出特性;2.输出电流、电压与辐射量间的关系;例3-1用2CU2D光电二极管探测激光器输出的调制信号φe,λ=20

+5sinωt（μW）的辐射通量时，若已知电源电压为15V，2CU2D的光电流灵敏度Si=0.5μA/μW，结电容Cj=3pF，引线分布电容Ci=7pF，试求负载电阻RL=2MΩ时该电路的偏置电阻RB为多少？并计算输出最大电压信号情况下的最高截止频率为多少？;于是可以求出偏置电阻为RB值

RB=3MΩ

此时，最大输出的电压时的最高截止频率fb为

fb=83kHz

3.反向偏置电路的设计与计算

反向偏置电路常用图解法，根据光电三极管（或光伏器件）的反向偏置电路图与其输出特性曲线，可以求解出任何入射辐射作用下的输出电压信号。

也可以根据题目的要求，设计出偏置电路的各种参数。;例3-2已知某光电三极管的伏安特性曲线如图3-42所示。当入射光通量为正弦调制量φv,λ=55+40sinωtlm时，今要得到5V的输出电压，试设计该光电三极管的变换电路，并画出输入输出的波形图，分析输入与输出信号间的相位关系。;注意，要求输出5V，是指有效值，集电极电压变化应为双峰值。即

Uce=2U≈14V

根据偏置电路，入射最大时输出电压为最小，但不能饱和。为此，在特性曲线上找到“A拐点”，并做垂线交横轴于“C”点，从“C”向右给出14V，找到“D”点；由“D”做垂线交输出特性曲线于“B”。通过A、B做直线，即为负载线。

负载线的斜率为负载电阻RL，它在横轴的截点电压为Ubb。横轴上C点电压为3.7V，D点电压为17.7V；电源电压Ubb近

似为19V，取标称电压20V或24V。确定Ubb后可以适当修正负载线。

根据入射光通量可以在特性曲线的电压坐标轴上画出输出信号的波形图，可见入射辐射与输出电压为反向关系。;3.3.2零伏置电路

如图3-43所示为零伏偏置电路。

图中Isc为短路光电流，Ri为光生伏特器件的内阻，集成运算放大器的开环放大倍数Ao很高，使得放大器的等效输入电阻很低，光生伏特器件相当于被短路。即;除上述利用具有很高开环放大倍率的集成放大器构成的零伏偏置电路外，还可以利用变压器的阻抗变换功能构成的零伏偏置电路，将光伏器件接到变压器的低阻抗端（线圈匝数少），光的波动产生的交变信号被变压器放大并输出；

另外，还可以利用电桥的平衡原理设置直流或缓变信号的零伏偏置电路。

但是，这些零伏偏置电路都属于近似的零伏偏置电路，它们都具有一定大小的等效偏置电阻，当信号电流较强或辐射强度较高时将使其偏离零伏偏置。

故零伏偏置电路只适合对微弱辐射信号的检测，不适合较强辐射的探测领域。若要获得大范围的线性光电信息变换，应该尽量采用光伏器件的反向偏置电路。;第3章思考题与习题解题思路

3,1会有光电响应，这是普通整流二极管要进行屏蔽光处理的原因之一。

根据光电二极管电流方程式（3.1-2）可以分析出它的电流由哪些部分构成，开路时电流I=0，由式（3.1-2）可以推导出开路电压的计算公式。

环极是光电二极管发展过程中为解决易被击穿而引入，随半导体工艺的改进，已被淘汰。

主要受限于PN结外电子扩散运动，提高的方法是增宽PN结结区，例如引入I型层。

开路是负载电阻为极大值，因此光电池的有载输出电压总会小于开路电压，根据开路电压的计算公式能够论证硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开路电压。;本题关键是最佳负载电阻。

自偏、反偏与零伏偏置三种，各有特点。自偏能够输出电功率，但是光电信息转换线性差；反偏光电信息转换线性好，动态范围大，需要提供偏置电源：零伏偏置光电信息转换线性好。

、3.9、3.10、3.11等计算题都可以参考书中的例题求解。

用楔环探测器的环极探测功率的径向分布，用楔极探测极角方向功率分布。

查教材。

减少电极的引出数量。

看4版教材P52、P53及页内容。

、3.17、3.18、3.19题请看4版教材P56~60页可以找到答案。

3.20根据具体电路具体分析。