原创力文档improvements of the optical and electrical properties gan films by using-doping method during growth生长过程中采用掺杂方法改善薄膜光学电学性能.pdfVIP
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Jpn.J.Appl.Phys.Vol.38(1999)pp.L411–L413
Part2,No.4B,15April1999ExpressLetter
c
1999PublicationBoard,JapaneseJournalofAppliedPhysics
ImprovementsoftheOpticalandElectricalPropertiesofGaNFi
byUsingIn-doMethodDuringGrowth
Xu-QiangSHEN,PeterRAMVALL,PhilippeRIBLETandYoshinobuAOYAGI
SemiconductorResearchLaboratory,TheInstituteofPhysicalandChemicalResearch(RIKEN),2-1Hirosawa,Wako-shi,Saitama351-0198,Japan
(ReceivedMarch1,1999;acceptedforpublicationMarch9,1999)
TheopticalandelectricalpropertiesofGaNfigrownbyusingIn-domethodduringgrowthhavebeeninvestigated.
TheGaNfiweregrownon-AlO(0001)substratesbygas-sourcemolecularbeamepitaxy.X-raydiffractionmeasure-
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mentsillustratethatthequalityofGaNfiwereimprovedbyIn-do.Photoluminescencemeasurementsat10Kshowthat
theband-edgerelatedemissionofGaNwasenhancedbymorethanoneorderofmagnitudebythisIn-domethod,whilethe
luminescenceoriginatingfromD-Apairrecombinationandstructuraldefects,orpossiblyoxygen,wasreduced.Furthermore,
Halleffectmeasurementsatroomtemperature(300K)gaveahigherHallmobilityofIn-dopedsamplesthannon-dopedone.
ThetechniqueofIn-doduringGaNgrowthlookspromisingforimprovingtheopticalandelectricalpropertiesofopticand
electronicdevices.
KEYWORDS:In-do,GaNfilm,X-raydiffraction,photoluminescence,electronmobility
Wideband-gapGaNandrelatedIII–Vnitridematerialstemperatureswerefixedat725C.TheInfluxwascontrolled
haveattractedagreatdealofattentionduetoitspoten-bytheInK-celltemperature,whichwasvariedbetween6
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