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耗尽型MOS管?N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线输出特性曲线UGS=6VUGS=4VUGS=1VUGS=0VUGS=--1VUGS(V)ID(mA)N沟道耗尽型MOS管可工作在UGS?0或UGS0N沟道增强型MOS管只能工作在UGS0第96页,共105页，2024年2月25日，星期天各类绝缘栅场效应晶体管的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型第97页,共105页，2024年2月25日，星期天绝缘栅场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型第98页,共105页，2024年2月25日，星期天结型场效应管结型场效应管的分类结型场效应管的结构结型场效应管的工作原理结型场效应管的特性曲线第99页,共105页，2024年2月25日，星期天?结型场效应管（JFET)结构?结型场效应管（JFET)分类可分为N沟道和P沟道两种，输入电阻约为107?。P+P+NGSDN沟道结型场效应管导电沟道结型场效应管第100页,共105页，2024年2月25日，星期天结型场效应管?结型场效应管（JFET)的工作原理根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。P+P+NGSDUDSIDDP+P+NGSUDSIDUGS预夹断UGS=UP夹断状态ID=0第101页,共105页，2024年2月25日，星期天当UGS=0时，沟道较宽，在UDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID。当UGS＜0时，PN结反偏，PN结加宽，漏源间的沟道将变窄，ID将减小。当UGS继续向负方向增加，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP。结型场效应管?结型场效应管（JFET)的工作原理第102页,共105页，2024年2月25日，星期天结型场效应管?结型场效应管（JFET)的特性曲线与MOS的特性曲线基本相同，只不过MOS的栅压可正可负，而结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。UP转移特性曲线输出特性曲线第103页,共105页，2024年2月25日，星期天结型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型第104页,共105页，2024年2月25日，星期天感谢大家观看第105页,共105页，2024年2月25日，星期天半导体二极管图片附录第64页,共105页，2024年2月25日，星期天半导体二极管图片附录第65页,共105页，2024年2月25日，星期天双极型晶体三极管晶体三极管的工作原理三极管的伏安特性曲线三极管的特性参数第66页,共105页，2024年2月25日，星期天晶体三极管的工作原理?三极管的结构E-B间的PN结称为发射结(Je)C-B间的PN结成为集电结(Jc)从结构上看主要有两种类型：NPN型PNP型发射区集电区基区发射极E基极B集电极C第67页,共105页，2024年2月25日，星期天晶体三极管的工作原理?三极管的结构1.由三层半导体组成，有三个区、三个极、两个结2.发射区掺杂浓度比集电区高得多基区掺杂低,且很薄。BECBEC第68页,共105页，2024年2月25日，星期天工作原理?三极管内部载流子的传输规律三极管各区的作用:发射区向基区提供载流子基区传送和控制载流子集电区收集载流子发射结加正向电压集电结加反向电压三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压才能起放大作用。放大作用的外部条件发射结加正向电压即发射结正偏集电结加反向电压即集电结反偏第69页,共105页，2024年2月25日，星期天PNPebcIEIB’IPCICBOIBIC工作原理载流子的传输规律1.发射区向基区扩散空穴，形成发射极电流。2.空穴在基区扩散和复合，形成了基区复合电流IB’。3.集电极收集从发射区扩散到基区的空穴，形成了电流IPC。同时由于集电结反偏，少子在电场的作用下形成了漂移电流ICBO，影响IB和IC。可得电流之间的分配关系IB