半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.pdfVIP

.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识

别标准

1.引言

1.1概述

半导体器件是现代电子科技发展中不可或缺的重要组成部分。随着社会的快速发

展，对于功率器件的需求越来越大。碳化硅功率器件作为一种新兴的半导体材料，

具有许多优势，如高温特性、低导通损耗和高能效等，因此在诸多领域有着广泛

的应用前景。然而，在碳化硅功率器件制备过程中，晶格缺陷可能会对其性能和

可靠性产生负面影响。

1.2文章结构

本文将首先介绍碳化硅功率器件的原理、应用领域和特点。接着，详细阐述同质

外延片制备过程中的工艺流程及物理结构特征，并介绍晶格缺陷的分类与影响因

素。随后，我们将探讨常见的无损检测技术以及建立碳化硅同质外延片缺陷识别

标准的重要性和挑战。最后，总结文章主要研究内容并提出未来研究方向。

1.3目的

本文旨在系统地研究碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别方法，为进一步提高碳

化硅功率器件的制备工艺和性能提供科学依据。通过建立缺陷识别标准，可以有

这将有助

于优化生产过程、提高产品可靠性，并推动碳化硅功率器件技术在各个领域的广

泛应用。

以上为“1.引言”部分的内容，其中包括了概述、文章结构和目的三个方面。

这一部分旨在引导读者了解文章主题并明确本文探讨的问题和目标。

2.碳化硅功率器件介绍

2.1碳化硅功率器件原理

碳化硅（SiliconCarbide，SiC）是一种新型半导体材料，具有许多优异的特性，

使其成为功率电子器件中的重要材料之一。碳化硅功率器件基于P型（正向）

和N型（负向）半导体材料的结合来实现电流控制和功率放大。

具体而言，碳化硅功率器件通常采用栅极反偏方式工作，通过调节栅极电压来控

制载流子在设备内部的流动。当栅极施加适当的正向电压时，P-N结区域形成一

个导电通道，并允许电流流动。这样，在设备通断过程中可以实现对功率的高效

控制。

2.2碳化硅功率器件应用领域

首先，在高温环境下，传统的硅功率器件会受到温度限制而失去部分效能。而碳

化硅功率器件具有良好的耐高温性能，可在200℃以上工作，因此在航空航天领

域、汽车电子领域等高温应用中具有巨大优势。

其次，在高频应用方面，碳化硅功率器件的高载流子迁移率和截止频率使其能够

处理更高的开关速度和更高的频率。这在通信领域、雷达系统以及其他射频应用

中非常重要。

此外，碳化硅功率器件的低导通电阻和低开关损耗使其在功率变换、逆变器和直

流-直流转换器等领域中具有广泛应用。

2.3碳化硅功率器件特点

碳化硅功率器件相对于传统的硅功率器件而言，具有以下几个显著特点：

首先，碳化硅材料具有更宽的能带隙，因此能够承受更高的工作温度，并具有较

低的导通损耗和开关损耗。

其次，碳化硅材料拥有更高的热导率，在发热少时可以提供更好的散热性能，并

减少设备温度上升。

此外，由于碳化硅材料自身带负温阻（NegativeTemperatureCoefficient），

在高温环境下其导通电阻较低，从而减少了功率器件的损耗。

另外，碳化硅材料还具有较高的击穿场强、高电子迁移速度和良好的热稳定性，

这些特点都有助于提高器件的性能和可靠性。

综上所述，碳化硅功率器件由于其优异的特性在多个领域中得到广泛应用，并且

具有取代传统硅功率器件的潜力。

3.同质外延片制备过程:

3.1同质外延片制备工艺流程:

同质外延片的制备是通过在基底上沉积与其具有相同晶格结构和成分的材料，使

其逐渐生长而形成的。典型的同质外延片制备工艺流程包括以下几个步骤：

1.基底表面处理：首先需要对生长基底进行表面处理，以去除可能存在的氧化

物、杂质和污染物，确保产生高质量的晶体生长表面。

2.入炉预处理：经过基底表面处理后，将样品放入高温炉中进行入炉预处理。

这个步骤是为了在高温环境下进行干燥和清洁，消除残留污染物，并提供一个良

好的条件来实现晶体生长。

3.气相阶段：在气相阶段中，通过化学气相沉积(CVD)或分子束外延(MBE)等方

法在基底上沉积材料。具体来说，在碳化硅功率器件中使用碳源气体和硅源气体

来控制一定比例的