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光敏电阻与其应用

光敏电阻的定义

•光敏电阻又称光电导管。它是利用半导体

的内光电效应制成的光敏元件。所谓内光

电效应是指半导体材料在光线辐射作用下

改变其导电率的一种光电效应。相对而言，

外光电效应是指金属表面受光照后发射电

子的一种现象，各种发光管都具有这种现象。

光敏电阻是一种典型的光电导器件。所谓光电导

效应是表示材料(或器件)受到光辐射后，材料(或

器件)的电导率发生变化。光敏电阻和其它半导体

光电器件相比有以下特点:

1.光谱响应范围宽。根据光电导材料的不同，光谱响应

可从紫外光、可见光、近红外扩展到远红外，尤其对红光

和红外辐射有较高的响应度。

2.工作电流大，可达数毫安。

3.所测光强范围宽，既可测强光也可测弱光。

4.灵敏度高，光导电增益大于1。

5.偏置电压低，无极性之分，使用方便。其缺点是在强

光照射下光电转换线性较差。光电驰豫过程较长，频率响

应很低。

光敏电阻的分类

有两种分类方法：

•(1)按半导体材料分:a.本征型光敏电阻;b.掺杂型

光敏电阻。后者性能稳定，特性较好，故目前大

都采用它。

•(2)按光谱特性及最佳工作波长范围分:

a.对紫外光敏感的光敏感电阻，如硫化镉和硒

化镉等。

b.对可见光敏感的光敏电阻，如硫化铊等。对

红外光敏感的光敏电阻，如硫化铅等。

光敏电阻的原理

图1所示为光敏电阻的工作原理图中在光敏电

阻的两极间加上一定电压V，当光照射在光敏电阻

上时，其内部被束缚的电子吸收光子能量成为自

由电子，并留下空穴。光激发的电子—空穴对在

外电场的作用下同时参与导电，从而改变了光敏

电阻的导电性能。

随着光强的增加其导电性能变好即光敏电阻的

电导率增加，流过其内的电流(光电流)增加，其

本身的电阻值减小。随着光强的减小，其导电性

能变坏，即光敏电阻的电导率减小，流过其内的

电流(光电流)减小，其本身的电阻值增加。

根据热平衡状态下半导体电导率公式，可推

算出在光辐射作用下产生的光电流:

式中，qN是光电子形成的内部电流，V是光敏电阻两端电压，L是光电

导体的长度，ττ是光辐射下每单位时间产生N个电子-空穴对的各自

np

寿命，μμ分别是电子和空穴的迁移率。

np

由此可见，光敏电阻的光电流与入射的光子数、量子效率和光电导体

长度L以及加在其两端的电压大小等因素有关。其电流大小与L的平方

成反比，因此在设计光敏电阻时，常设法将L减小，使光电流增大。

光敏电阻的特性参数

光敏电阻的主要特性参数有：

1.光照特性

2.伏安特性

3.光谱特性

4.前历效应

5.温度特性

光照特性：

光电流随着照度的变化而改变的规律称为光照特性。不同类型的光敏

电阻的光照特性不同。由实验可知,光电流随着照射强度一起增大或

减小。当入射光很强或很弱时,光敏电阻的光电流与光照之间会呈现

非线性关系。其他照度区域近似呈线性关系。不同类型的光敏电阻的

光照特性不同,但大多数光敏电阻的光照特性是非线性的。

伏安特性：

在照度一定时,电压增大,光电流也增大,灵敏度随之增大,而且没有饱

和现象。且光敏电阻两端的电压也不能无限制地提高。因为光敏电阻

都有最大额定功率,超过最高工作电压和最大额定电流,就可能导致光

敏电阻的永久性损坏。

光谱特性：

照射光的波长与光电流之间的关系叫光谱特性。由实验可知,不同材

料光敏电阻的光谱特性不同,同一材料照射光的波长不同时,光敏电阻

的灵敏度不同。材料不同的光敏电阻的灵敏度有一个峰值,所对应的

波长不同。在光晶体中,cds主要用于敏感可见光;GaAs,Ge和Pb主要用

于敏感红外光;ZnS主要用于敏感紫外光。所以选择光敏电阻时,要与

使用的光源结合起来考虑,才能获得较好的效果