半导体照明术语及定义.docx

外延

术语

1、外延生长（Epitaxy）

2、量子阱（QuantumWell）

3、能带工程（Energybandengineering）

4、半导体发光二极管（LightEmittingDiode）

5、PN结的击穿（PNjunctionStriking）

淀积（Metal Organic Chemical Vapor

淀积（Metal Organic Chemical Vapor

Deposition）

Deposition）

7、异质结构（HeterogeneousStructure）

8、量子阱半导体激光器（QuantumWellLaser）

9、超晶格（SuperLattice）

Epitaxy：外延制程（垒晶）GaP：磷化镓

n-GaN：N型氮化镓p-GaN：P型氮化镓GaAs：砷化镓GaN：氮化镓

InGaNAlGaN铟镓氮

InGaN

AlGaN

铟镓氮

铝镓氮

Wafer：晶片、外延片

分析仪器

1、XRD：X射线衍射仪，主peakGaN分析仪器

3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及SheetResistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping）

3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及SheetResistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。

4、SEM（ScanningElectronMicroscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。

5、Microscope：显微镜

6、DifferentialMicroscopy（Nikon-OPTIPHOT）：晶相（金相）显微镜，用以观测磊芯片表面的型态（morphology）。

7、EDS：能量分色散光谱仪，EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。

8、MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition)：金属有机化学汽相

沉淀积

沉淀积

9、TEM：透射电子显微镜，测量截面的微细构造，可测量量子井阱、缓冲层以及超晶格的微细构造厚度及接口（界面）状况。

10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN

的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。

芯片（Chip）

1、LED（LightEmittingDiode）：发光二极管

2、reversemountingtype薄芯片LED：反向粘着型薄芯片LED（倒装芯片）3、GaNLED：氮化镓发光二极管

4、UVLED：紫外线二极管（紫外发光二极管）5、ChipProcessing：芯片制程

6、Photolithography：光刻，将图形从光罩（掩膜版）上成象到光阻上的过程。7、Photoresist：光刻胶（光阻），是一种感光的物质，经紫外光曝光后会变得

很硬而不溶解于腐蚀剂。其作用是将Pattern从光刻版（掩膜版）(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。（第13条与此条合并）

8、Etching：蚀刻

9、WetEtching：湿式（法）蚀刻，将芯片浸没于化学溶液中，将进行光刻制程前所沈沉积的薄膜，把没有被光阻覆盖及保护的部分，利用化学溶液与芯片表面产生氧化还原作用的化学反应的方式加以去除，以完成转移光罩图案

（掩膜版图形）到薄膜上面的目的。

10、DryEtching：干式（法）蚀刻，干式蚀刻主要是利用低压放电，将气体电离成电浆，使气体透过电场解离，产生具有反应及方向性的离子。接着，将晶圆（晶片）置于带有负电的阴极，使带有正电的离子因物理作用而以垂直角度撞击晶圆（晶片）表面，就可得到垂直蚀刻。

11、Evaporation：蒸镀，利用电子枪所射出的电子束轰击待镀材料，将高能电子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能，使其局部熔化。

12、Lift-off：剥离，用bluetape（蓝膜）把金属弄走。

14、Mask：光刻版（掩膜版），是一石英玻璃，上面會鍍上一層影像。(e.g.TCL,p-pad,n-pad)其原理和拍照用的菲林一樣。

15、PhotoresistCoating：上光刻胶（光阻涂敷）

16、SoftBake：软烤，其主要目的是通过SoftBake将光阻中