GB/T 36477-2018半导体集成电路　快闪存储器测试方法.pdf

ICS31.200

L56

中华人民共和国国家标准

GB/T36477-2018

半导体集成电路

快闪存储器测试方法

Semiconductorintegratedcircuit-

Measuringmethodsforflashmemory

2018-06-07发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T36477-2018

目

次

前言－I

1范围·

2规范性引用文件………··

3术语和定义－

4一般要求·

4.1设备和条件

4.2电参数测试向量

5详细要求…………………2

5.1输出高电平电压和输出低电平电压………………2

5.2输入高电平电压和输入低电平电压………………3

5.3输入高电平电流和输入低电平电流

5.4输出高电平电流和输出低电平电流

5.5输出高电阻状态电流………………6

5.6电源电流和漏电流…………………6

5.7传输时间……………7

5.8建立时间和保持时间………………9

5.9延迟时间……………u

5.10有效时间（适用时）………………11

5.11存储器的特定时间………………11

5.12存储单．元。变l功能……………11

5.13存储单元1变。功能……………12

5.14特殊数据图形功能………………u

附录A（资料性附录）快闪存储器测试流程……………14

GB/I36477-2018

a

目。

在司

一

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）