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利用湿法刻蚀的方法在硅片上加工V型槽条纹

在金刚石的晶格中我们观察到(111)平面密度比(100)平面大，这样刻(111)面就比刻(100)面要慢。表现出这种方向依赖性的刻蚀剂其刻蚀物包括KOH和异丙基酒精的混合物?(?例?：?23.4wt%?的KOH，13.3wt%的异丙基酒精，63wt%的水)。这种刻蚀剂在(100)面方向的刻蚀速率比(111)面方向要快100倍(例，在80°，0.6μm/min与0.006μm/min)。如果(100)面上的硅被二氧化硅覆盖且刻出图形，这种有方向性的刻蚀剂会产生精确的V形槽，槽的边缘是(111)面，与(100)面的夹角为54.7°，如图1。?

图1V型槽示意图

备片、氧化

选择适合大小的晶向(100)硅片，如4寸，抛光表面、超声清洗后，在约1000℃下，先通湿氧氧化2.5h，再通干氧氧化lh，在其表面就氧化出一层厚度大约为1μm、均匀致密的氧化层，该氧化层作为腐蚀硅的掩模层。

光刻

采用双层掩模法，即在氧化硅表面蒸发上一层铬、金，厚度分别为50nm、80nm。因为铬、金腐蚀时间较短，光刻胶的抗腐蚀性已足够。这样，用光刻胶作掩模先腐蚀铬、金，再用铬、金作掩模腐蚀SiO2。SiO2腐蚀液配为HF：NH4F：H20=1：2：3，腐蚀时间约10min。这种双层掩模光刻法腐蚀出的SiO2层图形边缘平整、无锯齿。最后剥离去胶，将SiO2层残留的铬、金完全腐蚀掉。整个光刻过程如图2所示。

图2湿法刻蚀流程示意图

硅腐蚀

将已定域腐蚀SiO2层的硅片放入已配好的硅腐蚀液中，硅腐蚀液的配方为氢氧化钾：异丙醇：水=1：2：2。在78℃下腐蚀。由于硅的腐蚀存在各向异性，经一定的腐蚀时间，大约80min即可得到要求的V型槽。另外，为防止V型槽底部出现“小岛”，在腐蚀过程中，需要一定的搅拌。

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图3加工V型槽