高压碳化硅芯片封装技术.pdfVIP

高压碳化硅芯片封装技术

摘要：本文从四个方面阐述了高压碳化硅芯片封装技术。

关键词：碳化硅，封装

近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展，已成为中

国功率电子行业的研发和产业化应用的重点，碳化硅全产业链包括材料、器件、封装和应

用等环节。针对碳化硅功率芯片封装对于高击穿电压、大功率的需求，拟开展相关封装技

术的研究，满足固态高压器件封装要求。本报告对于耐压6000V，脉冲峰值电流10KA的

TO和SMD两种类型的管壳进行了设计，重点介绍了高压碳化硅功率芯片与管壳底座之间

的焊接技术，高压碳化硅功率芯片与管壳内引脚之间的引线键合技术，高压碳化硅功率芯

片的绝缘胶涂覆技术，高压碳化硅功率芯片封盖技术等关键技术。

1.焊接技术

功率芯片焊接过程中,一旦在焊接面出现空洞,不仅芯片的电气连接性能不好,更重

要的是将明显增加器件的热阻,导致器件烧毁或者失效。焊接质量的好坏对器件性能起着

决定性的影响，因此对焊接工艺有必要进行深入研究。采用合金焊料的焊接方法主要有：

氢气共晶焊和真空共晶焊。

芯片与基片间良好的欧姆接触是保证功率器件正常工作的前提。欧姆接触不良会使

器件热阻加大，散热不均匀，影响电流在器件中的分布，破坏器件的热稳定性，甚至使器

件烧毁。半导体器件的散热有辐射、对流和传导三种方式，其中热传导是其散热的主要方

式。如图1所示是芯片焊接装配模型，图2是其热等效电路。其中Tj为芯片结温，Tc为

管壳温度；R1、R2、R3分别是芯片、焊料层、底座的热阻，总热阻R=R1+R2+R3。

图1芯片焊接装配示意图

图2热阻等效模型

芯片PN结产生的热量主要通过碳化硅芯片、焊料层传到底座。焊接层的虚焊和空洞

是造成欧姆接触不良的主要原因，空洞会引起电流集中，在它附近有可能形成不可逆的，

破坏性的热电击穿。功率越大、芯片尺寸越大焊接空洞率越难以控制，因此如能实现功率

碳化硅芯片的无孔洞焊接，将能显著提高器件的可靠性水平。实现无空洞焊接需要对以下

几个方面进行深入研究：

①管壳镀层镀层和芯片背面金属化层质量等对焊结空洞率有何影响；

②焊料层厚度及质量对焊接空洞率有何影响；

③焊接温度曲线及气氛对焊接空洞有何影响；

④芯片表面压力对焊接空洞率有何影响。

本项目拟通过以上五方面的研究，选取合适焊料层厚度，控制好芯片表面压力，采

用最优的焊接温度曲线、适宜的焊接气氛，完成碳化硅功率芯片的无空洞焊接。

2.引线键合技术

在电子元器件制造工艺中，引线键合以其高效、低成本等优势作为电路内连接的主

要手段；引线键合较钎焊连接能有效降低界面面应力，提高器件抗疲劳性能。在高可靠功

率器件封装中，优选铝丝超声键合工艺。电子元器件失效分析表明，引线键合失效在产品

失效中占有相当比例，因此，如能实现高压碳化硅芯片高可靠键合，器件可靠性将显著提

高。

实现高可靠键合技术需要对以下几个方面进行深入研究：

①管壳镀层镀层厚度和质量对键合可靠性的影响；

②芯片金属化层质量等对键合可靠性有何影响；

③键合工艺中压力、功率和时间对键合可靠性有何影响；

本项目拟通过以上三方面的研究，选取合适键合压力、功率和时间等工艺参数，对

管壳镀层和芯片金属化层提出质量控制要求，完成碳化硅功率芯片的高可靠键合。

3.绝缘胶涂覆技术

本项目封装的高压碳化硅芯片耐压为6000V,如芯片表面不进行绝缘保护会在芯片背

面与芯片保护环之间，管壳同芯片之间电场强度集中处产生打火“”现象，损坏芯片。对于

温度要求不高的器件，采用传统的硅橡胶绝缘涂覆就能满足要求，难点在于绝缘胶的无空

洞涂覆。如果绝缘胶涂覆过程中产生空洞，将降低芯片于管壳或芯片背面与芯片保护环之

间的绝缘距离，造成绝缘耐压不够，造成产品满足不了高压应用需要。因此无孔洞涂胶技

术是产品能否达到高压应用的关键技术。

实现无空洞绝缘胶涂覆技术需要对以下几个方面进行研究：

①涂胶方法对绝缘胶层有何影响；

②真空排泡对绝缘胶层有何影响；

③固化温度对绝缘胶层质量有何影响。

本项目拟通过以上三方面的研究，选取合适涂胶方法，掌握优化的真空排泡条件，

应用最佳的固化温度，完成碳化硅功率芯