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华南理工大学期末考试

《电力电子技术基础》试卷

注意事项：1.考前请将密封线内填写清楚；

所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；

考试形式：闭卷；

题号得分评卷人一二三四五总分本试卷共 大题，满分100

题号

得分

评卷人

一

二

三

四

五

总分

一． 选择题（单选，共10分）

关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，下面说法错误的是( )A．IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大

IGBT是由MOSFET和GTR复合而制成的

IGBT工作在开关状态时，是在正向阻断区和饱和区之间转换

开关频率介于GTR和MOSFET之间2．三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，其移相范围是( )

A．90° B．120° C．150° D．180°

单相桥式全控整流电路中，由于变压器漏感造成的换流压降为( )

2X I

? Bd

1

X I

Bd

3

X I

2? Bd

X I

? Bd

下列电路中，不可以实现有源逆变的是( )A．单相双半波可控整流电路 B．单相桥式半控整流电路C．单相桥式全控整流电路 D．三相桥式全控整流电路

下列可控整流电路中，输出电压谐波含量最少的是( )

三相半波 B．单相双半波 C．三相桥式 D．十二相整流6．电压型逆变电路的特点不包含( )

A．直流侧接大电感 B．交流侧电流接正弦波

C．直流侧电压无脉动 D．直流侧电流有脉动7．斩波电路实现调压的方法是( )

A．改变开关频率 B．改变开关周期 C．改变占空比 D．改变负载电流8．三相桥式全控整流电路，阻感负载，采用同步信号为锯齿波的触发电路，同步信号正弦波落后于加于晶闸管的相电压( )

A．90o B．120o C．180o D．240o9．交－交变频电路的最高工作频率为（ ）

A.电源频率的2倍到3倍 B.电源频率的1

2

倍到1倍

3

号位座业专___

号位座

业专

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院学

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《 》试卷第1页共6页

《》试卷第

《

》试卷第PAGE2页共6页

SPWM的电路基波是()

A．正弦波 B．三角波 C．锯齿波 D．方波

二．是非判断题（共10分）

“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。????()

达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管属电压驱动型开关管。?????????????????()

对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电流、单相半波可控整流电流和单相双半波直流电路。???????????()4．导致开关损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障。???????()

对于三相半波整流电路，电阻性负载，当Id一定时，流过晶闸管的电流有效值IT随控制角α的增加而增加。??????????????????????()

对于三相半波整流电路电阻性负载，当α＝45o，u

2

?100V时，输出电压平均值约

为85V。????????????????????????????( )

在SPWM控制的逆变电路中，载波频率越高，谐波频率也就越高，高次谐波也就越容易滤除。???????????????????????????( )

在GTR的驱动电路设计中，为了使GTR快速导通，应尽可能使基极驱动电流大些。?????????????????????????????( )

尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可作为晶闸管的门极控制信号。?????( )

在有源逆变电路中，当某一晶闸管发生故障，失去开通能力，则会导致逆变失败。?????????????????????????????( )

三．填空题（每题3分，共15分）

正弦脉宽调制（SPWM）技术用于电压型逆变电路中，当改变 可改变逆变器输出电压幅值；改变 可改变逆变器输出电压频率；改变可改变开关管的工作频率。

三相桥式可控整流电路，若输入电压为 u

2

?100sin?t，电阻性负载