2024年-SilvacoTCAD器件仿真演示幻灯片（精编）.ppt

SilvacoTCAD

器件仿真（三）

Tangshaohua,SCU

E-Mail:shaohuachn@126.com

shaohuachn@

这一讲主要内容

材料特性设置

物理模型设置

特性获取

结果分析

从例子hemtex01.in看整个流程

材料参数

状态Material，设置材料参数

材料参数和物理模型的选取有关，常用的参数及说明如下：

材料参数

材料参数

材料参数

能带参数

能带结构示意图

能带不连续参数align的说明

要在结构文件中查看能带，需添加语句

Outputcon.bandval.bandband.para

材料参数例子

materialmaterial=InGaAsalign=0.36eg300=0.75nc300=2.1e17\

nv300=7.7e18copt=9.6e-11

materialmaterial=InPaffinity=4.4align=0.36eg300=1.35\

nc300=5.7e17nv300=1.1e19copt=1.2e-10

materialregion=1taun0=5.0e-10taup0=1.0e-9vsatn=2.5e7\

mun0=4000mup0=200

impactselbmaterial=InGaAsan2=5.15e7ap2=9.69e7bn2=1.95e6\

bp2=2.27e6

impactselbmaterial=InPan2=1e7ap2=9.36e6bn2=3.45e6bp2=2.78e6

Materialtaun0=1.e-9taup0=1.e-9f.conmun=hemtex01_interp.lib

materialalign=0.6

光学参数

在光电特性仿真中材料的光学参数（折射率实部和虚部）尤为重要。

两种方法可设置材料的光学参数

1、C解释器编写参数文件

2、添加、更改材料的折射率文件内的信息

文件路径：X:\sedatools\lib\Atlas\5.14.0.R\common

*.n为折射率实部，*.k为折射率虚部

C解释器

可通过C解释器编辑函数来描述材料参数

C解释器模板路径X:\sedatools\lib\Atlas\5.14.0.R\common\template

例子

hemtex01.in中“f.conmun=hemtex01_interp.lib”

物理模型

models，计算时所采用的物理模型

物理模型是指有物理意义的方程

物理描述在手册的3.6节PhysicsModels部分

低场迁移率模型的物理方程及参数

低场迁移率模型中可用户定义的参数

状态

参数

默认值

单位

Mobility

Mun

1000

cm2/Vs

Mobility

Mup

500

cm2/Vs

Mobility

Tmun

1.5

Mobility

Tmup

1.5

物理模型

推荐的模型

MOSFETs类型：srh，cvt，bgn

BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，bgn

击穿仿真：Impact，selb

Modelsconmobfldmobsrhaugertemp=300print

例句：

Impactselb

Modelbgnfldmobsrh

界面特性

interfacey.max=0.1qf=−1e11

interfacex.min=−4x.max=4y.min=−0.25y.max=0.1qf=1e11\

s.n=1e4s.p=1e4

Interface定义界面态电荷（密度cm-2），s.n和s.p

分别为电子和空穴的表面复合速率

计算方法

Method，仿真时的数值计算方法

主要的方法有newton，gummel，block

methodgummelnewtontrapitlimit=20maxtrap=6

报错信息：

“traptimesmorethan4times”

指计算不收敛。

需要注意的几个地方：

Itlimit是迭代的次数上限；

maxtrap设置步长折回的次数；

电流边界情形不能用Gummel

特性获取

加偏执是用solve状态

先需要设置数据保存在日志文件，之后才可以用Tonyplot显示出来

Logoutfile=*.log

Solveinit

Solvevdrain=0.1

Solvevgate=0.05vstep=0.05vf