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MOCVD法生长ZnO的发光性质及Na掺杂研究的开题报告

【摘要】

ZnO是一种重要的半导体材料，在光电子学和电子学领域有广泛的应用。本文通过MOCVD法成功生长出ZnO薄膜，并对薄膜的光学和电学性质进行了研究。同时，还对Na掺杂ZnO的效果进行了分析，并研究了不同Na掺杂浓度对ZnO的结构和光学性质的影响。

【关键词】MOCVD法；ZnO；发光性质；Na掺杂

【引言】

ZnO作为一种重要的半导体材料，在光电子学和电子学领域有着广泛的应用。它具有宽带隙、高能量转移率、高机械稳定性、低能耗等优异的特性。随着LED照明和显示技术的快速发展，ZnO薄膜作为一种优异的发光材料越来越受到关注，因此对ZnO的研究变得十分重要。

本文采用MOCVD法生长ZnO薄膜，并对薄膜的光学和电学性质进行了研究。在此基础上，对Na掺杂ZnO的效果进行了进一步的分析，并研究了不同Na掺杂浓度对ZnO的结构和光学性质的影响。

【研究方法】

本研究采用MOCVD法生长ZnO薄膜，具体操作如下：

1.在300℃下清洗Si（100）衬底并放入反应室中，升温到500℃预热。

2.在反应室中加入初始气体（Zn、O2、N2）后，使反应室压力维持在500torr，其比例分别为1:20:60。

3.开始生长，以500℃恒温下沉积20分钟，ZnO薄膜厚度为600nm。

4.使用X射线衍射和扫描电子显微镜研究薄膜的结构和形貌。

5.利用紫外-可见光谱和荧光光谱研究薄膜的光学性质。

6.对Na掺杂ZnO进行研究，分析不同Na掺杂浓度对ZnO的结构和光学性质的影响。

【预期结果】

通过MOCVD法生长ZnO薄膜，预计可以得到具有高质量的ZnO薄膜并研究其发光性质。同时，对Na掺杂ZnO的效果进行进一步分析，研究不同Na掺杂浓度对ZnO的结构和光学性质的影响，从而为提高其应用性能提供理论参考和技术基础。

【结论】

本文将采用MOCVD法生长ZnO薄膜，并研究其发光性质和Na掺杂效果。预计可以得到具有高质量的ZnO薄膜，并分析不同Na掺杂浓度对ZnO的结构和光学性质的影响，为提高其应用性能提供理论参考和技术基础。