Silvaco工艺及器件仿真3.pdf

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4.1.10多晶硅栅的淀积

淀积可以用来产生多层结构。共形淀积是最简单的淀积方式,并且在各种淀积层形状要

求不是非常严格的情况下使用。NMOS工艺中,多晶硅层的厚度约为2000Å,因此可以使

用共形多晶硅淀积来完成。为了完成共形淀积,从ATHENACommands菜单中依次选择

Process、Deposit和Deposit…菜单项。ATHENADeposit菜单如图4.30所示;

a.在Deposit菜单中,淀积类型默认为Conformal;在Material菜单中选择Polysi

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