GaN薄膜低温外延的ECR-PAMOCVD技术.PDF

材料研究

薄膜低温外延的-技术3

GaNECRPAMOCVD

徐茵顾彪秦福文从吉远

(大连理工大学电磁工程系,大连116023)

杨树人

(吉林大学电子工程系,长春130023)

摘要给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积(ECR2

)()()

PAMOCVD技术和在低温≤600℃、极低气压≤1Pa下生长GaN外延膜的装置、

工艺及实验结果。并与以往的GaN外延技术进行了比较,说明了这种新的低温外延技术

的独特优点。

关键词氮化镓等离子体低温外延

MOCVD

1引言温度对制备蓝光发射器件,特别是LD所必需

氮化镓(GaN)系材料是用于短波发光器件的高In组分陡峭的InGaNGaN异质结很不

和高温大功率电子器件,并具有巨大应用前景利。再则,高温生长也不适合GaAs等不耐高温

的宽直接带隙半导体材料。基短波激光二的衬底,而且生长的是不具有解理性的六方晶

GaN

[1]

极管(LD)不仅对高密度光存储系统,而且对GaN,给LD共振腔面的制作带来了麻烦。生

隐蔽通讯等军事应用有重要价值。近年来,在长在¸2˝族半导体GaAs衬底上可解理的立

[1]方GaN系材料无疑是制备短波LD更理想的

材料生长和器件应用上取得了突破,引起了

[1]

各国科技界和工业界极大关注。尽管如此,仍材料,然而,立方GaN一般是在低温下获得

[2]的。为了解决上述难题,人们越来越重视低温

有一些基本问题尚需深入探讨,大量实验表

明材料生长技术及与其相关的生长动力学研究生长研究[3～5]。低温生长的关键是解决活性氮

是GaN系材料生长及器件研制的关键。源并为生长表面提供活化能。一个十分有前景

近年来,GaN系材料的外延技术发展迅的途径是采用等离子体活化氮源,即等离子体

速,大体上分为金属有机化学汽相沉积辅助MOCVD(PAMOCVD)[4,5]和等离子体增

()和分子束外延()两大类。采强分子束外延(PEMBE)[3],提供活性氮的等离

MOCVDMBE

用MOCVD在蓝宝石衬底上生长六方GaN系子体有不同类型[3～5],ECR微波等离子体是一