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In2O3稀磁半导体及其与La0.7Ca0.3MnO3异质结构的制备与研究的开题报告

研究背景与意义：

稀磁半导体是一类具有磁电性、半导体性质的材料，有着广泛的应用前景，例如在电子器件、磁性存储器、磁力传感器、自旋电子学等领域具有重要的应用价值。在稀磁半导体中，In2O3是一种有潜在应用前景的材料，具有高储氧量、高导电性、优良的光学性质等特点。此外，In2O3还可以与其他功能材料组成异质结构，形成新型的材料体系，如与La0.7Ca0.3MnO3异质结构的复合材料，可以实现磁电耦合效应，有着广泛应用前景。因此，研究In2O3及其与其他功能材料的异质结构具有重要的科学意义和应用价值。

研究内容：

本课题的主要研究内容包括：

1.制备In2O3稀磁半导体材料。采用化学沉积、溶胶-凝胶等方法制备In2O3材料，并对其物理性质进行表征。

2.制备La0.7Ca0.3MnO3材料。采用传统固相合成方法合成La0.7Ca0.3MnO3材料，并对其物理性质进行表征。

3.制备In2O3/La0.7Ca0.3MnO3异质结构。采用物理气相沉积等方法制备In2O3/La0.7Ca0.3MnO3异质结构材料，并对其物理性质进行表征。

4.研究In2O3/La0.7Ca0.3MnO3异质结构的磁电耦合效应。利用光电测试等方法研究In2O3/La0.7Ca0.3MnO3异质结构的磁电耦合效应。

研究方法和技术路线：

1.化学沉积法制备In2O3材料。采用化学物质合成软件(CSS)和水浴法结合的方法，制备In2O3薄膜。

2.固相合成法制备La0.7Ca0.3MnO3材料。采用高温固相反应法，在氧气气氛下制备La0.7Ca0.3MnO3。

3.物理气相沉积法制备In2O3/La0.7Ca0.3MnO3异质结构。采用物理气相沉积法，通过控制功率和稀释比，制备In2O3/La0.7Ca0.3MnO3异质结构薄膜。

4.利用光电测试等方法研究In2O3/La0.7Ca0.3MnO3的磁电耦合效应。采用Hall效应、磁化率和电阻等测试方法，研究In2O3/La0.7Ca0.3MnO3的磁电耦合效应。

研究预期结果：

1.成功制备In2O3稀磁半导体材料，并对其物理性质进行了表征，包括磁性、光学性质等。

2.成功制备La0.7Ca0.3MnO3材料，并对其物理性质进行了表征，包括磁性、电学性质等。

3.成功制备了In2O3/La0.7Ca0.3MnO3异质结构，并对其物理性质进行了表征，包括磁性、光学性质等。

4.探索In2O3/La0.7Ca0.3MnO3异质结构的磁电耦合效应，为新型材料体系的应用提供了基础研究。