GB/T 43894.1-2024半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD).pdf

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT43894.12024

半导体晶片近边缘几何形态评价

:()

第部分高度径向二阶导数法

1ZDD

Practicefordetermininsemiconductorwafernear-edeeometr—

gggy

:()

Part1MeasuredheihtdataarrausinacurvaturemetricZDD

gyg

2024-04-25发布2024-11-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT43894.12024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

/《》。/

本文件是半导体晶片近边缘几何形态评价的第部分已经发布了

GBT438941GBT43894

以下部分:

———:()。

第部分高度径向二阶导数

1ZDD

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准

SACTC203

化技术委员会材料分技术委员会(//)共同提出并归口。

SACTC203SC2

:、、

本文件起草单位山东有研半导