2019102583318一种TiO_Sub_2__Sub_畴结构调控硅酸钛锂材料制备方法及应用.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN109950502B

(45)授权公告日2020.11.27

(21)申请号201910258331.8H01M4/58(2010.01)

H01M4/62(2006.01)

(22)申请日2019.04.01

H01M10/0525(2010.01)

(65)同一申请的已公布的文献号

(56)对比文件

申请公布号CN109950502A

CN104953099A,2015.09.30

(43)申请公布日2019.06.28

审查员杨霁

(73)专利权人北京工业大学

地址100124北京市朝阳区平乐园100号

(72)发明人尉海军何迪吴天昊苏恒

王博亚

(74)专利代理机构北京思海天达知识产权代理

有限公司11203

代理人张立改

(51)Int.Cl.

H01M4/36(2006.01)

H01M4/485(2010.01)权利要求书2页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种TiO畴结构调控硅酸钛锂材料制备方

2

法及应用

(57)摘要

一种TiO畴结构调控硅酸钛锂材料的制备

2

方法及应用，属于电池技术领域。该复合结构主

体为硅酸钛锂，结构化学式为LiTiSiO，同时硅

25

酸钛锂复合有TiO畴结构，可用于锂离子电池负

2

极材料。通过TiO畴结构的引入，在原始单纯

2

LiTiSiO的基础上，复合结构表现出了良好的

25

循环稳定性及高比容量。在此基础上，表面碳层

的同时引入，进一步增强了复合结构的电子电导

率，提升了材料的倍率性能。本方法公开了该复

合结构的制备方法。

B

2

0

5

0

5

9

9

0

1

N

C

CN109950502B权利要求书1/2页

1.一种TiO畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，负极材料主体为硅酸钛锂

2

LiTiSiO，同时硅酸钛锂复合有TiO畴结构对负极材料进行调控，硅酸钛锂LiTiSiO的质

25225

量百分数为90％-100％，不包含100％；或还包含表面碳包覆的TiO畴结构调控硅酸钛锂负

2

极材料。

2.按照权利要求1所述的一种TiO畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，