电子科技大学半导体物理答案.docx

第一篇 半导体中的电子状态习题

、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。

、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

、试指出空穴的主要特征。

、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

、某一维晶体的电子能带为

E(k)?E

?1?0.1cos(ka)?0.3sin(ka)?

0

其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：

能带宽度；

能带底和能带顶的有效质量。

题解：

、解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有

更多的电子被激发到导带中。

、解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。

、解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的

集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：

A、荷正电：+q；

B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）；C、EP=-En

D、mP*=-mn*。

、解：

（1） Ge、Si:

a）Eg(Si：0K)=1.21eV；Eg(Ge：0K)=1.170eV；b）间接能隙结构c）禁带宽度Eg随温度增加而减小；

（2）GaAs：

ga）E（300K）=1.428eV，Eg(0K)=1.522eV；

g

b）直接能隙结构；

c）Eg负温度系数特性：dEg/dT=-3.95×10-4eV/K；

、 解：

（1）由题意得：

dE

?0.1aE

dk

?sin(ka)?3cos(ka)?

0

dE2

d2k

?0.1a2E

0

?cos(ka)?3sin(ka)?

令dE ?0,得tg（ka）?1

dk 3

?ka?18.4349

1

o,k

a?198.4349o

2

dE2

当ka?18.4349

1

o,

d2k

?0.1a2E

0

(cos18.4349?3sin18.4349)?2.28?10?40?0,

对应能带极小值；

当ka?198.4349

2

dE2

o,

d2k

?0.1a2E

0

(cos198.4349?3sin198.4349)??2.28?10?40?0,

对应能带极大值。

则能带宽度

?E?Emax?Emin ?1.1384eV

（2）

?? ?

?1?1?dE2?

?1

? 2.28?10?40

??1 ? ?

?m*

?? ?

?? ??? ??

?1.925?10?27kg

? n 带底

?

则?

?h2?

d2k??

k

1

??6.625?10?34

2??

?? ?

?1?dE2

???1

??2.28?10?40 ??1 ? ?

?m*

?? ?

?? ??? ??

??1.925?10?27kg

? n 带顶

?

?h2?

d2k??

k

2

??6.625?10?342??

答：能带宽度约为1.1384Ev，能带顶部电子的有效质量约为1.925x10-27kg，能带底部电子的有效质量约为-1.925x10-27kg。

第二篇半导体中的杂质和缺陷能级习题

、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？

、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。

、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出p型半导体。

、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。

、两性杂质和其它杂质有何异同？

、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？

、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？

题解：

、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提