GaN异质结肖特基二极管的性能影响研究的开题报告.docxVIP

肖特基浮动金属环对AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的性能影响研究的开题报告

开题报告

1.选题背景

随着功率电子学的发展，GaN材料具有高电子迁移率、高饱和漏电流和高击穿场强等优点，成为研究的热点，尤其在高速电力电子器件和微波器件方面。AlGaN/GaN异质结肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode,SBD)是其中的一种重要器件，具有无反向漏电流、高电压承受能力、低串联电阻和高开关速度等优点。在此基础上，通过向Schottky金属加入固定电荷，可以产生肖特基浮动金属电容，进一步提高器件性能。

2.研究目的

本文旨在探究AlGaN/GaN异质结SBD中加入肖特基浮动金属环（FloatingMetalring,FMR）对器件性能的影响，研究固定电荷密度、FMR半径和厚度等参数对器件性能的影响，进一步提高SBD的性能和稳定性。

3.研究内容和方法

（1）研究FMR对SBD电特性的影响，包括I-V曲线、C-V曲线和漏电流等参数的变化。

（2）利用TCAD二维模拟软件，建立AlGaN/GaN异质结SBD器件模型，模拟FMR的加入对器件性能的影响，探究固定电荷密度、FMR半径和厚度等因素对器件性能的影响。

（3）进一步分析FMR对SBD参数的优化效果，包括阻抗匹配、微波性能和开关速度等方面。

4.预期成果

（1）研究SBD中FMR对器件性能的影响。

（2）模拟和仿真FMR的优化效果。

（3）探索FMR在其他功率和微波电路中的应用前景。

5.研究意义

本研究对于探究肖特基浮动金属环在AlGaN/GaN异质结SBD中的应用具有重要意义。通过加入FMR，进一步提高SBD的性能和稳定性，为高性能功率电子器件和微波器件应用提供了一种新的思路和方向。