（高清版）B/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法.pdfVIP

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CCSL59

中华人民共和国国家标准

GB/T42191—2023

MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法

TestmethodsoftheperformancesforMEMSpiezoresistivepressure-sensitivedevice

2023-05-23发布2023-09-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

GB/T42191—2023

目次

前言I

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4试验条件及规定1

4.1大气条件1

4.2其他环境条件2

4.3测试设备2

5试验项目及方法2

5.1试验项目2

5.2试验方法2

GB/T42191—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。

本文件起草单位：北京大学、中机生产力促进中心有限公司、北京智芯传感科技有限公司、昆山昆博

智能感知产业技术研究院有限公司、厦门光莆电子股份有限公司、江门市润宇传感器科技有限公司、宁

波志伦电子有限公司、广州奥松电子股份有限公司、华东光电集成器件研究所、深圳市美思先端电子有

限公司、南京高华科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、湖南国天电子科技有限公司、南京沃天

科技股份有限公司、广州广电计量检测股份有限公司、武汉飞恩微电子有限公司、深圳安培龙科技股份

有限公司、昆山传感器测控技术有限公司。

本文件主要起草人：张威、顾枫、李根梓、陈广忠、李宋、张亚婷、张良、陈立国、林瑞梅、李树成、茅曙、

张宾、王鹏、李晓波、许宙、王玮冰、陈路、高峰、明志茂、曹万、陈君杰、王冰。

I

GB/T42191—2023

MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法

1范围

本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。

本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文

件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于

本文件。

GB/T2423.1—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A:低温

B:

GB/T2423.2—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验高温

：试Ea：冲击

GB/T2423.5环境试验第2部分验方法试验和导则