半导体物理学期末复习试题及答案三.pdfVIP

系别班次学号姓名.

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

一、选择题。

1.电离后向半导体提供空穴的杂质是（A），电离后向半导

体提供电子的杂质是（B）。

A.受主杂质B.施主杂质C.中性杂质

2.在室温下，半导体Si中掺入浓度为1014cm3的磷杂质后，半导体

中多数载流子是（C），多子浓度为（D），费米能

级的位置（G）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为

1.11015cm3的硼杂质，半导体中多数载流子是（B），多子

浓度为（E），费米能级的位置（H）；如果，此时温

度从室温升高至550K，则杂质半导体费米能级的位置（I）。

（已知：室温下，ni1010cm3；550K时，ni1017cm3）

A.电子和空穴B.空穴C.电子

D.1014cm3E.1015cm3F.1.11015cm3

G.高于EiH.低于EiI.等于Ei

3.在室温下，对于n型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽

度（B），电子浓度和空穴浓度的乘积np（D）n2，

00i

功函数（C）。如果有光注入的情况下，电子浓度和空穴

浓度的乘积np（E）n2。

i

A.增加B.不变C.减小

D.等于E.不等于F.不确定

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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

4.导带底的电子是(C)。

A.带正电的有效质量为正的粒子

B.带正电的有效质量为负的准粒子

C.带负电的有效质量为正的粒子

D.带负电的有效质量为负的准粒子

5.P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体

材料的类型（B）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，

代表去强反型的（G）。

A.相同B.不同

C.无关D.AB段

E.CD段F.DE段

G.EF和GH段

6.P型半导体发生强反型的条件（B）。

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