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SrTiO3/GaN薄膜生长初期粒子吸附模型与机理研究的开题报告

一、研究背景和意义

SrTiO3（STO）和氮化镓（GaN）是研究热点的陶瓷材料，具有广泛的应用前景。STO具有良好的电介质性质、光学性质和铁电性质，在电子学、能源、光电子学和生物医学等领域都有广泛的应用。GaN是一种重要的半导体材料，具有优异的电学、光学、热学性质，在发光二极管、太阳能电池等方面具有广泛的应用。

将STO和GaN薄膜在一定条件下生长可以制备出符合实际应用需求的复合材料，将STO作为衬底可以改善GaN薄膜的性能。因此，研究STO/GaN复合材料的制备方法和机理具有学术和应用上的重要意义。

在STO/GaN复合材料的制备过程中，生长初期的粒子吸附与沉积现象是一个重要环节，直接影响材料的生长质量和性能。目前对于STO/GaN复合薄膜生长初期的粒子吸附机理的研究还比较缺乏，本课题旨在对于这一问题进行深入研究，为复合材料的制备提供科学依据。

二、研究内容和方法

本课题旨在通过实验和理论计算相结合的方式对STO/GaN复合薄膜生长初期的粒子吸附模型和机理进行研究，具体研究内容和方法如下：

1.实验方面：采用化学气相沉积法（CVD）等方法在STO衬底表面生长GaN薄膜，利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）等手段对样品进行表征，并通过表面能谱仪（XPS）对材料的元素成分和化学键状态进行分析。

2.理论计算方面：采用分子动力学模拟（MD）等计算方法，建立STO/GaN复合薄膜生长初期的粒子吸附模型进行模拟计算，分析不同条件下的吸附和沉积过程，进一步探究各因素对吸附和沉积的影响。

三、预期结果和价值

通过实验和理论计算相结合的方法，深入研究STO/GaN复合薄膜生长初期的粒子吸附模型和机理，预计可以得到以下结果：

1.揭示STO/GaN复合薄膜生长初期的粒子吸附机理，掌握不同条件下吸附和沉积过程的规律。

2.为STO/GaN复合材料的制备提供科学依据，提高复合材料的制备效率和质量。

3.为STO/GaN复合材料在电子学、光电子学和生物医学等领域的应用提供理论和实验基础，具有重要的学术价值和应用前景。