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2024-05-22 发布于四川
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上电极组件和半导体工艺腔室.pdf

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本发明提供一种上电极组件，包括射频馈入柱、靶材背板、多个功率扩散件和多个升阻模块，靶材背板的底部用于固定靶材，射频馈入柱的顶端用于与上电源组件连接，多个功率扩散件的第一端与射频馈入柱的底端电连接，多个功率扩散件的第二端沿靶材背板的径向向外延伸，多个升阻模块一一对应地连接在多个功率扩散件的第二端与靶材背板的顶部之间，且升阻模块连接在功率扩散件与靶材背板之间的负载可调。本发明中可通过增大上电极组件内阻的方式，增大上电极组件、靶材和靶材下方的等离子体的总负载，降低上电极组件寄生电阻带来的功率损耗，提高

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118057567A

(43)申请公布日2024.05.21

(21)申请号202211445045.0

(22)申请日2022.11.18

(71)申请人北京北方华创微电子

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