SiC和Si3N4一维纳米材料压阻特性研究开题报告.docxVIP

SiC和Si3N4一维纳米材料压阻特性研究开题报告

一、研究背景及意义

纳米材料具有独特的物理、化学和力学性能，在多个领域具有广泛的应用前景。其中，一维纳米材料（如纳米线、纳米管等）具有高表面积、高应变率等特点，可广泛应用于传感、储能、光电器件等领域。

SiC和Si3N4是常见的陶瓷材料，具有优良的耐高温、耐磨损、耐腐蚀等特性，在高温领域、摩擦磨损领域等有重要应用。因此，研究SiC和Si3N4一维纳米材料的力学性能、特别是压阻特性，对于深入理解其本质特性及应用具有重要意义。

二、研究内容及方法

本研究旨在探究SiC和Si3N4一维纳米材料的压阻特性，具体研究内容包括：

1.合成SiC和Si3N4一维纳米材料；

2.制备压电测试装置，测量SiC和Si3N4一维纳米材料的压阻特性；

3.分析SiC和Si3N4一维纳米材料的压阻特性与宏观材料的力学性能的关系。

本研究将采用溶胶-凝胶法、热原子沉积法等合成方法，制备SiC和Si3N4一维纳米材料。采用纳米压电测试系统测量材料压阻特性。通过分析压阻特性与宏观力学性能之间的关系，探讨SiC和Si3N4一维纳米材料特性及应用。

三、预期成果及创新点

本研究将获得SiC和Si3N4一维纳米材料的压阻特性数据，深入探究其压阻机制和本质特性。同时，将揭示宏观材料性能与纳米结构之间的关系，在研究纳米材料物理特性和力学性能之间的关系方面具有一定的探索意义。

本研究具有以下创新点：

1.综合采用两种合成方法制备SiC和Si3N4一维纳米材料，获得一维纳米材料的良好结构和性能。

2.采用纳米压电测试系统测量压阻特性，实现了对一维纳米材料良好的力学测试。

3.研究了SiC和Si3N4一维纳米材料的压阻特性及宏观性能之间的关系，为进一步深入探究纳米材料力学性能提供了思路和依据。

四、进度安排

1.12月份：文献调研，确定实验方案。

2.1月份：制备SiC和Si3N4一维纳米材料。

3.2月份：搭建纳米压电测试系统，对材料进行测试。

4.3月份：分析测试数据，初步探究材料的特性。

5.4月份：制定并修改研究报告。

五、参考文献

1.DingS,TangJ,ZhangY,etal.Piezo-phototroniceffectenhancedUVphotodetectorofasingleSiCnanowire[J].NanoResearch,2016,9(11):3429?3436.

2.FengP,HuangX,ZhaoX,etal.Enhancedpiezoresistivepropertyinsub-20nmSiCnanowiresbysurfaceeffect[J].AppliedPhysicsLetters,2019,114(1):013101.

3.ZamaniRR,JavanbakhtM,RafieiM.Mechanicalpropertiesofsiliconnitridenanowires:amoleculardynamicsstudy[J].JournalofMolecularModeling,2012,18(6):2545?2552.

4.WuJ,ZhangY,GongX,etal.SynthesisandpropertiesofSi3N4nanowires[J].JournalofPhysicalChemistryC,2009,113(11):4169?4176.