手机底盖后模铜公加工数控编程ugpm16.pptxVIP

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  • 2024-05-28 发布于北京
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手机底盖后模铜公加工数控编程ugpm16.pptx

手机底盖后模铜公加工手机底盖后模铜公(电极)加工要求火花位精公-0.05/S,粗公-0.15/S手机底盖后模铜公加工问题模型的修复模型有问题会影响后续拆电极和刀路的可靠性,应尽量修复注意播放录像定位控制补烂面视频手机底盖后模铜公加工补烂面的绝招先把问题模型拆分为面(抽取单个烂面)和片体(区域抽取没有问题的面)重新修剪烂面或网格面指令重建构烂面缝合为实体手机底盖后模铜公加工程序组-加工工艺流程模型第一眼看上去有点复杂,要抓住整体加工思路,先做开粗、二次开粗和光刀程序再补中光程序、局部补刀路,最后检查整理手机底盖后模铜公加工程序B1-1D10开粗MCS以基准面取整,高出模型1-2MM,毛坯自动块,手动拖毛坯至MCS零点基准台一起开粗,提高编程效率模型小平面比较多,切削层手动分为三层,此处不要用自动但要注意开粗后模型小平面的余量就不是0.1MM模型高22MM,每刀切深0.4MM,总共切削了56层切削层改为自动,请自己数一数总共切削了多少层最小斜坡长度取50%-80%,忽略底部狭窄区域手机底盖后模铜公加工程序B1-2、3D10中光平面B4光刀程序复制过来改底部余量点方式勾画边界,刀路非常简洁矢量进退刀设置手机底盖后模铜公加工程序B2-1、2、3D6二次开粗CAVITY_MILL型腔铣局部二次开粗参考刀具二次开粗要手动判断会不会踩刀因第一刀吃刀量太多,改PLANAR二次开粗槽底面是避孔位,不换刀直接B2-3光刀B2-4中光整个曲面手机底盖后模铜公加工程序B3-1、2、3D3二次开粗中光B3-1CAVITY_MILL型腔铣局部二次开粗B3-2开粗后模型小平面的余量较多,复制光刀程序做中光B3-3PLANAR_MILL小孔螺旋开粗手机底盖后模铜公加工程序B4-1、2、3、4、5D10光基准方法一:基准先侧后底,侧-0.05/0.15底-0.04/0,优先用方法一方法二:基准先底后侧,底0.2/0侧-0.05/0.01~0.03边界选任意点,刀路非常简洁;矢量进退刀设置注意:1、光刀从基准平面外下刀2、光外形从R角进刀并修圆角注意:光刀“边界近似”不能打开手机底盖后模铜公加工程序B5-1R1.5光刀用R1.5整体光刀比较合理注意:光刀边界近似不能打开手机底盖后模铜公加工程序B5-2、3R1.5光刀用R1.5整体光刀比较合理直身面撞刀杆的解决:先等高B5-2或单向插刀撞刀杆分析(此图在第5层)手机底盖后模铜公加工程序B6-1D3R0.2单一层优先用圆鼻刀D3R0.2手机底盖后模铜公加工程序B6-2D3R0.2等高移除边缘跟踪后出现断线的处理参考刀路描边界B6-2B6-3B6-4OK根据B6-2描边界手机底盖后模铜公加工程序B6-3D3R0.2等高刀路,移除边缘跟踪向上延伸2MM,控制切削层7.7-11.95效果等同做辅助体手机底盖后模铜公加工程序B6-4D3R0.2PLANAR等高光边手机底盖后模铜公加工程序B7-1D3光面FACE_MILLING面铣光面及清R0.2角面铣放火花位:1.CAM变换2.机床控制先做光刀程序,复制光刀做中光手机底盖后模铜公加工程序B7-3D3光小孔PLANAR_MILL螺旋光小孔,内外公差为0.0025选孔底手机底盖后模铜公加工程序B8-1R0.5清角R0.5清根手机底盖后模铜公加工后处理佳铁雕刻机后处理出程序单,程序名改为6位数程序单充满绘图区,然后点打印,选PDF打印机手机底盖后模铜公加工补充参数设置参数设置

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