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本发明涉及电池片生产领域，具体涉及结合LPCVD与磷扩散为一体的新工艺流程，包括以下步骤：S1、硅片安装至石英舟内，将石英舟放入沉积设备中，升温并第一次抽真空，然后通入氧气，在硅片表面沉积形成二氧化硅层；S2、进行第二次抽真空并通入硅烷，在二氧化硅层上沉积形成非晶硅层；S3、进行第三次抽真空并通入三氯氧磷，在非晶硅层上掺杂形成磷扩散层；S4、进行第四次抽真空并再次通入氧气，在磷扩散层上继续形成磷硅玻璃层，而后进行第五次抽真空并冷却，完成下料即可。本发明在LPCVD通硅烷沉积非晶硅后，直接抽真空进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073463A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410091847.9H01L21/677(2006.01)
(22)申请日2024.01
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