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本发明提供一种改善功函数薄膜连续性的方法，在基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上形成一层隔离层；在隔离层上形成一层功函数薄膜，功函数薄膜作为半浮栅器件中的浮栅用以存储电荷和传导电子；并且功函数薄膜的功函数为4.63～4.75eV；对硅基底上的隧穿氧化层、隔离层以及功函数层进行热处理；在热处理过程中，隔离层一方面与隧穿氧化层表面反应形成致密阻止层；另一方面隔离层与隧穿氧化层中的O反应形成新的隧穿氧化层，热处理持续至隔离层完成被消耗完为止；反应后剩余的功函数薄膜均匀覆盖在致密阻止层上表面。隔离层既可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073184A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211466814.5
(22)申请日2022.11.22
(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司
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